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专利号: 2022105575724
申请人: 江南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-10-10
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有蒲棒结构的MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步:三维网络结构碳纳米纤维膜的制备:

将PAN溶解于N,N二甲基甲酰胺中,搅拌均匀得到纺丝液,然后静电纺丝得到PAN纳米纤维膜;再将PAN纳米纤维膜经预氧化和碳化处理得到柔性碳纳米纤维膜,记作CNF膜;

第二步:MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层的制备:在高真空磁控溅射设备中,通入氩气、控制气压,同时使用直流源溅射MoS2靶材、使用射频源溅射Al2O3靶材,共沉积MoS2和Al2O3到第一步获得的CNF膜上,得到具有蒲棒结构的MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层;

预氧化的处理温度为180‑300℃,升温速率为1‑3℃/min处理时间为1‑3h。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第二步中,直流源的功率为40‑60W。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第二步中,射频源的功率为20‑50W。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,共沉积的时间为20‑40min。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,纺丝液的浓度为8%‑15%;纺丝电压为25‑

35kV,接收距离为15‑25cm。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,碳化处理的温度为600‑1000℃,升温速率为2‑5℃/min处理时间为3‑6h。

7.权利要求1‑6任一项所述方法制备得到的具有蒲棒结构的MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层。

8.含有权利要求7所述的MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层的锂/钠硫电池。

9.权利要求7所述的MoS2/Al2O3@CNF陶瓷复合隔膜夹层在锂/钠电池领域中的应用。