1.一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，包括箱体（1），其特征在于：所述箱体（1）内设有处理室（23），所述处理室（23）的内底部设有矩形块（4），所述矩形块（4）的上端设有两个腐蚀槽（6），两个所述腐蚀槽（6）的内底部均设有电热板（5），两个所述腐蚀槽（6）内均填充有强碱溶液，所述矩形块（4）的上端固定连接有竖板（11），所述竖板（11）的上端与处理室（23）的内顶部固定连接，所述竖板（11）内设有矩形腔（12），所述矩形腔（12）的内顶部、处理室（23）的内顶部均设有多个导向轮（13），所述处理室（23）内设有两个固定块（14），两个所述固定块（14）的上端共同固定连接有拉绳，所述拉绳依次搭设在三个导向轮（13）上，两个所述固定块（14）的下端均设有抖动组件；

所述抖动组件包括设置固定块（14）下端的竖槽（27），所述竖槽（27）内设有滑块（29），所述滑块（29）与竖槽（27）的内顶部通过第二弹簧（28）弹性连接，所述滑块（29）与竖槽（27）的内壁滑动连接，所述滑块（29）的下端转动连接有铁链，所述铁链的下端固定连接有固定夹，所述滑块（29）具有导电性，所述竖槽（27）远离竖板（11）的一侧内壁上设有导电块（26），腐蚀化设备对碳化硅晶片进行腐蚀化处理和清洗处理，对碳化硅晶片进行腐蚀化处理时，利用固定夹将碳化硅晶体的上端夹住，在碳化硅晶体的重力作用下，使得碳化硅晶体进入腐蚀槽（6）内，滑块（29）与对应的导电块（26）构成一个第一导电组件，第二弹簧（28）具有导电性，设置一个外接电源，外接电源、两个第一导电组件和两个第二弹簧（28）通过导线构成一个回路，当在进行腐蚀处理和清洗处理时，滑块（29）初始状态下与导电块（26）接触，使得第二弹簧（28）通电，第二弹簧（28）通电后，使得第二弹簧（28）收缩，从而带动滑块（29）上碳化硅晶体上移,滑块（29）与导电块（26）脱离时，由于滑块（29）具有惯性，会继续上移一段距离后再回移，当滑块（29）再次与导电块（26）接触时，会重复上述过程，从而使得碳化硅晶体处于抖动的状态。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，其特征在于：两个所述腐蚀槽（6）的相邻侧内壁上均设有横槽（7），两个所述横槽（7）内均设有挡板（8），两个所述挡板（8）与对应横槽（7）的内壁滑动连接，两个所述挡板（8）的相邻侧与对应横槽（7）远离腐蚀槽（6）的一侧内壁通过第一弹簧（9）弹性连接，两个所述横槽（7）的相邻侧空间通过横管（10）连通。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，其特征在于：所述箱体（1）的上端设有泵体（17），所述箱体（1）内设有过渡腔（18），所述泵体（17）的出液端与过渡腔（18）的上端通过弯管连通，所述处理室（23）的左右两侧内壁上均设有空心板（15），两个所述空心板（15）的相邻面均设有多个出液口，两个所述空心板（15）的相背侧与过渡腔（18）的左右两侧空间通过出液管（16）连通。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，其特征在于：两个所述固定块（14）的上端均设有折叠气囊（19），两个所述折叠气囊（19）远离固定块（14）的一端与处理室（23）的内顶部固定连接，所述箱体（1）内设有两个通腔（20），两个所述通腔（20）均贯穿对应的出液管（16），两个所述通腔（20）内均设有挡块（21），两个所述挡块（21）与对应通腔（20）的内壁滑动连接，两个所述通腔（20）的底部空间与折叠气囊（19）通过短管连通，两个所述挡块（21）上均设有通口，两个所述通腔（20）的顶部空间与外界通过连接管（30）连通，两个所述通腔（20）的左右两侧内壁上均设有导电片（22），两个所述挡块（21）均具有导电性，挡块（21）与对应的两个导电片（22）构成第二导电单元，两个挡块（21）均具有导电性，外接电源、两个第二导电单元和两个第一弹簧（9）通过导线构成一个回路，且第二导电单元与对应的第一弹簧（9）相互串联，两个第一弹簧（9）相互并联。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，其特征在于：所述箱体（1）的左右两侧均设有储存盒（2），两个所述腐蚀槽（6）的相背侧空间与对应储存盒（2）的顶部空间通过排水管（3）连通，所述处理室（23）的前侧设有两个拉门（24），两个所述拉门（24）上均设有玻璃窗。

6.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备，其特征在于：所述箱体（1）的上端设有两个加料盒，两个所述加料盒内均填充有高浓度强碱溶液，两个所述连接管（30）远离对应通腔（20）的一端与加料盒的底部空间连通，两个所述通腔（20）的顶部空间与对应腐蚀槽（6）的底部空间通过注液管（25）连通，每个所述注液管（25）和连接管（30）上均设有单向阀。