1.一种NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基底材料上沉积BiVO4薄膜，制得BiVO4电极；

(2)在步骤(1)制得的BiVO4电极的BiVO4薄膜上，通过电泳沉积法沉积MgO薄膜，依次经清洗、干燥和煅烧，制得MgO/BiVO4电极；

(3)在步骤(2)制得的MgO/BiVO4电极上，旋涂NiCo2O4前驱体溶液，干燥，于250‑350℃条件下，煅烧3.5‑4.5h，制得NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极。

2.根据权利要求1所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中在基底材料上沉积BiVO4薄膜的具体方法为：将基底材料预处理，通过电泳沉积法在基底

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材料上沉积BiOI膜，清洗、烘干，然后滴涂V 源，煅烧，制得BiVO4薄膜。

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3.根据权利要求2所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，V 源为浓度为0.1‑0.3mol/L VO(acac)2的DMSO溶液。

4.根据权利要求1所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中电泳沉积条件为：沉积液为0.8‑1.2mol/L的MgNO3·6H2O溶液，电位‑0.6～‑0.8V，沉积时间10‑60s。

5.根据权利要求1所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中煅烧条件为：以1‑3℃/min的速率加热至450‑550℃保持0.8‑1.2h。

6.根据权利要求1所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中NiCo2O4前驱体溶液通过以下方法制得：将NiCo2O4前驱体分散在DMF和Nafion的混合溶液中，制得NiCo2O4前驱体溶液；其中，NiCo2O4、DMF和Nafion的质量体积比为0.08‑0.12g：8‑

12mL：0.2‑0.4mL。

7.根据权利要求1所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中旋涂的条件为：以1800‑2200r/min的转速旋涂15‑25s。

8.权利要求1‑7任一项所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极的制备方法制得的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极。

9.权利要求8所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极在制备光电化学电池方面的应用。

10.一种光电化学电池，其特征在于，包括权利要求8所述的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极。