1.一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将硫源和钼源放置于加热装置内，于常压条件下保持20‑30sccm的惰性气体流量，分别对所述硫源和钼源进行加热处理2‑20 min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；

其中，所述硫源放置于刚玉舟内；所述钼源放置于石英舟中且在所述石英舟中距离所述钼源边缘1‑6 mm处放置经退火处理后的惰性耐高温垫片，并在所述惰性耐高温垫片上方放置玻璃基底；

所述硫源加热处理温度为180‑270℃；所述钼源加热处理温度为1050℃；所述钼源与硫源的质量比为0.6:1400。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性耐高温垫片为惰性氧化物垫片、惰性氮化物垫片、惰性碳化物垫片中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性耐高温垫片为氧化铝垫片、氧化铪垫片、氧化钛垫片、氮化铝垫片、碳化硅垫片中的一种。

4.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性耐高温垫片的退火处理过程为：在惰性气体环境下，对惰性耐高温垫片置于不低于1100℃的环境下进行退火处理，退火时间不少于10 min，惰性气体流量不少于50 sccm。

5.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述将硫源和钼源放置于加热装置内，于常压条件下保持20‑30 sccm的惰性气体流量，分别对所述硫源和钼源进行加热处理2‑20 min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜的步骤，包括：将硫源和钼源分别置于双温区管式炉的第一温区、第二温区边缘处，当所述第一温区的温度达到180‑270℃、所述第二温区的温度达到1050℃时，将所述硫源移动至所述第一温区内，将所述钼源移动至所述第二温区内，10 min后，进行化学气相沉积反应，在化学气相沉积过程中石英管内气压保持常压，并且持续通入20‑30 sccm 的惰性气体作为辅助钼源和硫源扩散的载气，控制化学气相沉积反应时间为2‑20 min，且保持二硫化钼生长时腔内压强稳定在±3 mbar之内，得二硫化钼薄膜。

6.根据权利要求1或5所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫源加热处理温度为200℃；所述钼源加热处理温度为1050℃；所述惰性气体流量为20 sccm。

7.一种二硫化钼薄膜，其特征在于，所述二硫化钼薄膜是由权利要求1‑6任一所述的二硫化钼薄膜的制备方法制备得到。