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专利号: 2022108002851
申请人: 中国地质大学(武汉)
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种硅基全光二极管,其特征在于,包括依次连接设置的硅基波导、衍射层和方向选择器件;所述硅基波导的两端由内至外分别设置有多个半径依次增大的第一空气孔,用于将光波传输至所述衍射层;所述衍射层向所述方向选择器件一侧凸出并形成60~120°夹角,用于将所述光波的方向调整后传输至所述方向选择器件;所述方向选择器件用于将所述光波输出至外部,其中,所述方向选择器件为二维硅基光子晶体平板,所述衍射层上设置有第二空气孔。

2.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,所述硅基波导的厚度为220~

1500nm。

3.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,相邻所述第一空气孔圆心之间的间距为400~460nm。

4.根据权利要求3所述的硅基全光二极管,其特征在于,位于所述硅基波导两端最内侧的所述第一空气孔圆心之间的间距为相邻所述第一空气孔圆心之间间距的2~4倍。

5.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,所述二维硅基光子晶体平板的晶格常数与相邻所述第一空气孔圆心之间的间距相等。

6.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,所述二维硅基光子晶体平板的厚度为220~1500nm。

7.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,所述第二空气孔的半径为160~200nm。

8.根据权利要求1所述的硅基全光二极管,其特征在于,所述衍射层的厚度为220~

1500nm。