1.一种超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于,包括以下步骤：(1)溶液配制：将P3HT溶解于氯苯溶剂中，配制P3HT的氯苯溶液，待P3HT完全溶解后进行过滤处理；

(2)一次等温结晶：将过滤后的P3HT的氯苯溶液先进行保温，再进行降温，然后进行等温结晶处理，得到一次结晶液；

(3)二次等温结晶：将一次结晶液先进行降温，然后进行等温结晶处理，得到二次结晶液；

(4)薄膜制备：利用溶液旋涂法将二次结晶液在硅片衬底上制备出P3HT薄膜；

(5)薄膜干燥：对P3HT薄膜进行真空干燥。

2.如权利要求1所述的超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，配制P3HT的氯苯溶液的浓度为1.5mg/mL。

3.如权利要求1所述的超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，保温温度为120℃，保温时间为3min，降温降至20℃，降温速率为5℃/min，等温结晶时间为3min。

4.如权利要求1所述的超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，降温降至5℃，降温速率为5℃/min，等温结晶时间为20d。

5.如权利要求1所述的超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，制备P3HT薄膜的旋涂转速为1000rpm，旋涂时间为100s。

6.如权利要求1所述的超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，干燥条件为20℃、0.08Mpa。