1.一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，包括：

研磨箱(1)；

夹持定位机构(2)，设于所述研磨箱(1)内，所述夹持定位机构(2)包括定位支撑板(201)，所述定位支撑板(201)位于研磨箱(1)内的一侧连接有一对升降支撑杆(202)，一对所述升降支撑杆(202)的外侧均设有限位支撑柱(203)，所述定位支撑板(201)的两侧均设有支撑块(204)，一对所述支撑块(204)相贴近的一侧均设有夹紧锥(205)，所述夹紧锥(205)与支撑块(204)之间连接有驱动转轴(206)；

可调式研磨机构(3)，设于所述定位支撑板(201)的外侧，所述可调式研磨机构(3)包括一对研磨辊(301)，一对所述研磨辊(301)对称分布于定位支撑板(201)的两侧，一对所述研磨辊(301)内均连接有限位控制转轴(302)；

清洁机构(4)，设于所述研磨箱(1)的一侧，用于对研磨辊(301)起到辅助清洁的作用。

2.根据权利要求1所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，一对所述升降支撑杆(202)内均螺纹连接有升降丝杆(207)，所述升降丝杆(207)与研磨箱(1)之间连接有支撑限位板(208)，所述支撑限位板(208)与研磨箱(1)之间形成有驱动控制腔，所述升降丝杆(207)位于驱动控制腔内的一端连接有升降电动机(209)。

3.根据权利要求1所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述支撑块(204)的一侧均固定连接有支撑件(210)，所述支撑件(210)远离支撑块(204)的一侧连接有螺纹限位块(211)，所述螺纹限位块(211)内连接有夹持驱动轴(212)。

4.根据权利要求3所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述夹持驱动轴(212)的两侧开凿有方向相反的外螺纹，所述夹持驱动轴(212)远离螺纹限位块(211)的一侧连接有驱动带轮(213)。

5.根据权利要求4所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述驱动带轮(213)的外侧连接有同步带(214)，所述同步带(214)远离驱动带轮(213)的一侧连接有传动带轮(215)，所述传动带轮(215)上连接有夹持电动机(216)。

6.根据权利要求1所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述驱动转轴(206)位于支撑块(204)内的一侧连接有驱动齿轮(217)，所述驱动齿轮(217)的一侧啮合有传动齿轮(218)，所述传动齿轮(218)上连接有旋转电动机(219)。

7.根据权利要求1所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述研磨箱(1)的两侧开凿有与限位控制转轴(302)相匹配的调节滑槽，一对所述限位控制转轴(302)位于研磨箱(1)外的一侧均连接有限位支撑块(303)，所述限位支撑块(303)与研磨箱(1)之间连接有移动滑轨(304)。

8.根据权利要求7所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，一对所述限位支撑块(303)相贴近的一侧均连接有螺纹连接杆(305)，所述螺纹连接杆(305)内螺纹连接有调节螺纹转轴(306)，所述调节螺纹转轴(306)与螺纹连接杆(305)相匹配，所述调节螺纹转轴(306)远离移动滑轨(304)的一侧连接有驱动锥齿轮(307)，所述驱动锥齿轮(307)的一侧啮合有传动锥齿轮(308)，所述传动锥齿轮(308)上连接有调节电动机(309)，所述调节电动机(309)与传动锥齿轮(308)之间设有齿轮箱(310)。

9.根据权利要求7所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，一对所述限位控制转轴(302)远离限位支撑块(303)的一侧连接有研磨带轮(311)，所述研磨带轮(311)的外侧连接有同步传动带(312)，所述同步传动带(312)远离研磨带轮(311)的一侧连接有张紧带轮(313)，所述张紧带轮(313)的外侧设有传动控制箱(314)，所述传动控制箱(314)上连接有研磨电动机(315)，所述研磨电动机(315)的输出轴与限位控制转轴(302)相连接。

10.根据权利要求9所述的一种高精度半导体晶圆片外径研磨装置，其特征在于，所述张紧带轮(313)内连接有张紧限位轴(316)，所述张紧限位轴(316)的外侧连接有移动支撑块(317)，所述移动支撑块(317)的外侧滑动连接有限位架(318)，所述移动支撑块(317)与限位架(318)之间连接有张紧弹簧(319)。