1.一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，该方法包括：

S1、在半导体晶圆衬底上均匀涂覆聚酰亚胺并退火固化以形成聚酰亚胺层薄膜；

所述的退火固化在惰性气体氛围下先在100～180℃预烘30～120min，再在300～400℃固化5～30min；所述的固化的厚度为2.0～2.6μm；

S2、在步骤S1中得到的聚酰亚胺层薄膜上淀积溅射铝膜；

所述的铝膜的厚度为30～100nm；

S3、在步骤S2中得到的铝膜上均匀涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，在所述的光刻胶上形成预定图形；

所述的光刻胶的厚度为1.0～3.0μm；所述的光刻胶作为软掩膜；

S4、经步骤S3后，再刻蚀铝掩膜，使所述预定图形转移至铝掩膜上；

所述的刻蚀铝掩膜采用等离子体干法刻蚀，所述的刻蚀的气体为Cl2、BCl3和N2混合气体；所述的Cl2与铝生成AlCl3；所述的BCl3进行各向异性刻蚀，并将铝的氧化层还原，促进刻蚀过程的继续进行；

S5、待步骤S4结束后，分两步反应对涂覆光刻胶的牺牲层进行离子刻蚀；

所述的两步反应采用不同流量比的氟基气体和氧气进行刻蚀，形成所需图形；所述的氟基气体选自SF6、CF4、CHF3中的任意一种；当所述的氟基气体为SF6时，在第一步中O2与SF6的流量比不低于3：1，在第二步中O2与SF6的流量比不低于1：2；当所述的氟基气体为CF4时，在第一步中O2与CF4的流量比不低于2：1，在第二步中的O2与CF4的流量比不低于2：3；当所述的氟基气体为CHF3时，在第一步中的O2与CHF3的流量比不低于3：4，在第二步中的O2与CHF3的流量比不低于2:5；

第一步的气体压强为100～200mTorr，射频功率为200～450W，刻蚀时间为30～100s；第二步的气体压强为150～400mTorr，射频功率为350～600W，刻蚀时间为60～200s；

S6、待步骤S5结束后，依次用酸性溶液与碱性溶液交替洗涤，腐蚀铝掩膜，并去除氧化铝微掩膜；

S7、清洗残留胶体。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，所述的步骤S2的铝膜是在反应室压力为1×10-4Pa，射频功率为200W的磁控溅射台上溅射2min形成厚度为30nm的铝膜。

3.根据权利要求1所述的干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，所述的氟基气体为SF6，在第一步中O2与SF6的流量比为3：1，在第二步中O2与SF6的流量比为1：2；所述的氟基气体为CF4，在第一步中O2与CF4的流量比为2：1，在第二步中O2与CF4的流量比为2：3；所述的氟基气体为CHF3，在第一步中O2与CHF3的流量比为3：4，在第二步中的O2与CHF3的流量比为2:5。

4.根据权利要求1所述的干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，所述的腐蚀铝掩膜用HF溶液。

5.根据权利要求1所述的干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，所述的依次用酸性溶液与碱性溶液交替洗涤是先用酸性溶液、去离子水依次清洗后，用惰性气体吹干，再用氢氧化钠溶液清洗。

6.根据权利要求1所述的干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，其特征在于，所述的清洗残留胶体是依次用有机化学溶剂EKC 265、异丙醇溶液以及去离子水进行的。