1.一种宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，包括由上至下设置的上层金属贴片（1）、上层介质基板（2）、中间层金属贴片（3）、下层介质基板（4）、下层金属贴片（5），其中：所述上层金属贴片（1）由四组结构完全相同的金属片单元组成，每组金属片单元由5个金属片组成，分别采用矩形金属片切角以及添加矩形微扰的结构实现圆极化特性；同时每组金属片单元设有多个金属通孔，贯穿上层介质基板（2），连接上层金属贴片（1）和中间层金属贴片（3）；

所述中间层金属贴片（3）平铺整个下层介质基板（4）的上表面并刻蚀四个圆形通孔；下层介质基板（4）被四个金属通孔贯穿，连接中间层金属贴片（3）及下层金属贴片（5）；

所述下层金属贴片（5）采用微带线组成一分四功分器；

上层金属贴片（1）由4组结构完全相同的金属片单元组成，呈2×2阵列式排列，分别是设置于左上角的第一组金属片单元（11），右上角的第二组金属片单元（12），右下角的第三组金属片单元（13）和设置于左下角的第四组金属片单元（14）；

所述第一组金属片单元（11）由5个金属片组成，分别是设置于左上角的第一金属片（111），右上角的第二金属片（112），右下角的第三金属片（113），左下角的第四金属片（114）和设置于中间位置的第五金属片（115）；第一金属片（111）和第三金属片（113）结构相同且二者关于中心对称设置，第一金属片（111）采用将矩形金属片切除第一三角形（116）的金属片，刻蚀第一金属通孔阵（25）；第三金属片（113）采用将矩形金属片切除第二三角形（118）的金属片，刻蚀第三金属通孔阵（27）；第二金属片（112）和第四金属片（114）结构相同且二者关于中心对称设置，第二金属片（112）采用将矩形金属片右上角增加第六金属片（117），刻蚀第二金属通孔阵（26）；第四金属片（114）采用将矩形金属片左下角增加第七金属片（119），刻蚀第四金属通孔阵（28）；

第五金属片（115）左侧刻蚀第一金属通孔（41），第二组金属片单元（12）、第三组金属片单元（13）、第四组金属片单元（14）左侧相同位置分别刻蚀第二金属通孔（42）、第三金属通孔（43）、第四金属通孔（44）；

所述下层金属贴片（5）是由微带线组成的1分4功分器，整体由7部分组成，分别是第八金属片（51）、第九金属片（52）、第十金属片（53）、第十一金属片（54）、第十二金属片（55）、第十三金属片（56）和第十四金属片（57）；

所述第九金属片（52）和第十金属片（53）左右对称，结构完全相同，第九金属片（52）的右上角刻蚀第三三角形（521），第十金属片（53）左上角刻蚀第四三角形（531）；

所述第十一金属片（54），第十二金属片（55），第十三金属片（56）和第十四金属片（57）结构完全相同，其中第十一金属片（54）和第十三金属片（56）上下对称，第十二金属片（55）和第十四金属片（57）上下对称；第十一金属片（54）左上角刻蚀第五三角形（541），左下角刻蚀第六三角形（542），右上角被第一金属通孔（41）贯穿；第十二金属片（55）左上角刻蚀第七三角形（551），右下角刻蚀第八三角形（552），右上角被第二金属通孔（42）贯穿；第十三金属片（56）左上角刻蚀第九三角形（562），左下角刻蚀第十三角形（561），右下角被第四金属通孔（44）贯穿；第十四金属片（57）右上角刻蚀第十一三角形（572），左下角刻蚀第十二三角形（571），右下角被第三金属通孔（43）贯穿。

2.根据权利要求1所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，第二金属通孔阵（26）和第一金属通孔阵（25）结构相同且二者按照左右对称设置，第三金属通孔阵（27）和第一金属通孔阵（25）结构相同且二者关于中心对称设置，第四金属通孔阵（28）和第一金属通孔阵（25）结构相同且二者按照上下对称设置；

在与第一组金属片单元（11）相对应的位置，上层介质基板（2）被第一组金属片单元（11）中的第一金属通孔阵（25）、第二金属通孔阵（26）、第三金属通孔阵（27）、第四金属通孔阵（28）以及第一金属通孔（41）贯穿，形成第一组金属通孔（21）；

同理，在与第二组金属片单元（12）、第三组金属片单元（13）、第四组金属片单元（14）相对应的位置，上层介质基板（2）上分别形成第二组金属通孔（22）、第三组金属通孔（23）、第四组金属通孔（24）。

3.根据权利要求2所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，所述中间层金属贴片（3）平铺整个下层介质基板（4）的上表面，由完全相同的4组通孔组成，分别是设置于左上角的第一组通孔（31），右上角的第二组通孔（32），右下角的第三组通孔（33）和设置于左下角的第四组通孔（34）；

在与第一组金属片单元（11）相对应的位置，中间层金属贴片（3）被第一组金属片单元（11）中的第一金属通孔阵（25）、第二金属通孔阵（26）、第三金属通孔阵（27）、第四金属通孔阵（28）贯穿，形成第一组通孔（31）；同理，在与第二组金属片单元（12）、第三组金属片单元（13）、第四组金属片单元（14）相对应的位置，中间层金属贴片（3）上分别形成第二组通孔（32）、第三组通孔（33）、第四组通孔（34）；

第一组通孔（31）、第二组通孔（32）、第三组通孔（33）、第四组通孔（34）中分别刻蚀一个圆形通孔，分别是第一圆形通孔（35）、第二圆形通孔（36）、第三圆形通孔（37）、第四圆形通孔（38）；第一 第四圆形通孔（35、36、37、38）一一对应设置于第一 第四金属通孔（41、42、~ ~

43、44）的正投影下方，对应位置圆形通孔与金属通孔的圆心位置相同，第一 第四圆形通孔~

（35、36、37、38）的半径大于第一 第四金属通孔（41、42、43、44）。

~

4.根据权利要求3所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，下层介质基板（4）被第一 第四金属通孔（41、42、43、44）贯穿，用于连接中间层金属贴片（3）和下层~金属贴片（5）。

5.根据权利要求4所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，能量由第八金属片（51）输入，经第九金属片（52）和第十金属片（53）传输到第十一 第十四金属片~（54、55、56、57），然后通过第一 第四金属通孔（41、42、43、44）穿过第一 第四圆形通孔（35、~ ~

36、37、38）传输到第一组 第四组金属片（11、12、13、14）向外辐射，中间层金属贴片（3）为天~线和功分器的共用地板，馈线位于下层金属贴片（5）。

6.根据权利要求4所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，第一金属片（111）与第三金属片（113）为梯形结构。

7.根据权利要求4所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，第十二金属片（55）、第十四金属片（57）分别是由第十一金属片（54）、第十三金属片（56）向右平移得到。

8.根据权利要求1 7任一项所述宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列，其特征在于，~

上层介质基板（2）的厚度为1.57mm，下层介质基板（4）的厚度为0.254mm，天线的整体高度为

1.824mm。