1.一种钒掺杂单层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，使用蒸镀法，将钨和氧化钒在碳布上蒸成纳米线结构；该步骤一包括：步骤一.（1），钨和五氧化二钒粉末均匀平铺到热蒸发装置的钨舟中，将钨舟夹装在铜电极片中间并固定；

步骤一.（2），在钨舟上放置氧化铝陶瓷片，然后将碳布放在陶瓷片上；

步骤一.（3），将热蒸发装置的反应腔抽真空，然后向反应腔中通入100 sccm流量的氩气和0.3 sccm流量的氧气，将钨舟的温度加热到1050℃，保温时间为3 5min，保温结束后降~温至室温，即获得长有WOx/VOx纳米线结构的碳布；

步骤二，使用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，长有氧化钨和氧化钒纳米线的碳布作为钨源和钼源；将碳布放在衬底上，与硫蒸气发生反应，在衬底上制备获得所述的钒掺杂的单层二硫化钨薄膜；该步骤二包括：步骤二.（1），将清洗过的Si/SiO2基底的抛光面朝上放置在第一石英舟内，然后将长有WOx/VOx纳米线结构的碳布剪裁后放置在基底上，转移至管式炉中，将第一石英舟放置于靠近管式炉热电偶的位置，位于气流的下游段；将装有硫粉的第二石英舟放在管式炉中，位于气流的上游段，封闭管式炉两端；

步骤二.（2），将管式炉升温至800 820℃时，保温10 15min，自然降温至室温，获得V掺~ ~杂的单层WS2。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一.（1）中，钨和五氧化二钒粉末的质量分别为0.5 0.8g和0.15 0.25g，钨舟尺寸为100×15×0.3mm。

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3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤一.（2）中，陶瓷片厚度为0.5 mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二.（1）中，装有硫粉的第二石英舟放置在管式炉中距离碳布20cm处。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤二.（2）中，先向管式炉中通入500sccm流量的高纯Ar用以排除系统内的空气。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤二.（2）中，反应进行过程中，载气保持

100sccmAr不变。

7.根据权利要求1‑6任意一项方法制备获得的钒掺杂的单层二硫化钨薄膜。