1.基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面镀设有氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面镀设有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面镀设有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx薄膜阻变层的表面还涂覆有PVA涂层。

2.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述氧化铟锡膜的厚度为7nm，且氧化铟锡膜采用纯氩气磁控溅射沉积而成。

3.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述铝膜采用孔洞孔径为60nm、间距为50nm、高度为500nm的多孔氧化铝结构，且铝膜采用纯氩气磁控溅射沉积而成。

4.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述第一金纳米线的高度小于铝膜的孔洞深度，且第一金纳米线的上端面所在水平面低于铝膜的上表面所在水平面。

5.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述TaOx薄膜阻变层的厚度为5nm，且TaOx薄膜阻变层采用纯氩气磁控溅射沉积而成。

6.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述第二金纳米线的直径为60nm，间距为50nm，高度为200nm。

7.根据权利要求1所述的基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，其特征在于：所述PVA涂层的厚度为100nm，且PVA涂层采用浓度为10%的PVA溶液在TaOx薄膜阻变层的表面旋涂而成。