1.一种纳米花状硫化钴的制备方法，其特征在于，为：将0.298g氯化钴和1.427g硫脲溶于250mL水溶液，得到电沉积溶液；

以导电基底作为工作电极置于所述电沉积溶液中，进行循环伏安扫描，在所述导电基底表面原位生成纳米花状硫化钴；

所述循环伏安扫描时的负电位窗口为‑1.24V，正电位窗口为0.16V，扫描速度为5mV·S‑1，扫描圈数为15圈。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电基底包括泡沫镍、碳纸和碳布中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环伏安扫描采用的对电极为珀片电极，参比电极为饱和甘汞电极。