1.一种纳米花状硫化钴的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将可溶性钴盐和硫源溶于水中，得到电沉积溶液；所述可溶性钴盐与硫源的摩尔比为

1：1～30，所述电沉积溶液中可溶性钴盐的浓度为0.1～1mol/L；

以导电基底作为工作电极置于所述电沉积溶液中，进行循环伏安扫描，在所述导电基底表面原位生成纳米花状硫化钴；所述循环伏安扫描时的负电位窗口为‑1～‑1.3V，正电位‑1窗口为0～0.2V，扫描速度为5～20mV·S ，扫描圈数为10～35圈。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性钴盐包括氯化钴、硝酸钴和醋酸钴中的一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫源包括硫脲或硫代乙酰胺。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环伏安扫描时的负电位窗口为‑1.24V，正电位窗口为0.16V。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积圈数为15圈。

‑1

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扫描速度为10～15mV·S 。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性钴盐与硫源的摩尔比为1：

10～20。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电基底包括泡沫镍、碳纸和碳布中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环伏安扫描采用的对电极为珀片电极，参比电极为饱和甘汞电极。

10.权利要求1～9任一项所述制备方法制备得到的纳米花状硫化钴，其特征在于，所述纳米花状硫化钴由垂直于导电基底表面的纳米片堆积而成，所述纳米花状硫化钴的孔径为

100～400nm；花瓣片层的长度为300～800nm。