1.一种镓硒氧氟氢化合物，其特征在于，该化合物的分子式为Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，分子量分别为891.22。

2.根据权利要求1所述镓硒氧氟氢化合物，其特征在于，采用水热法或水溶液法制备。

3.根据权利要求2所述的镓硒氧氟氢化合物的制备方法，其特征在于：

所述水热法制备镓硒氧氟氢化合物，具体操作如下：含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物加入到高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，再加入去离子水和矿化剂，使其充分混合均匀，得到混合液，其中含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物摩尔比为1.5‑3:5‑7:0.5‑1.5；

将聚四氟乙烯内衬装入高压釜中，并将高压釜置于恒温箱中加热至200‑230摄氏度，再冷却降至室温，将含有粉末的溶液过滤，即得到镓硒氧氟氢化合物；

所述溶液法制备镓硒氧氟氢化合物，具体操作如下：含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物加入到体积为1000mL的烧杯中再加入去离子水100‑400mL，将溶液搅拌至澄清，然后将烧杯置于加热台上，温度加热到150‑250摄氏度，恒温降温后得到镓硒氧氟氢化合物；

所述含镓化合物，包括Ga2O3、Ga(NO3)3或GaCl3中的一种或几种；

所述含硒化合物，包括SeO2、H2SeO4、H2SeO3、Na2SeO3或K2SeO3中的一种或两种；

所述含氟化合物，包括NH4F、LiF、NaF或HF中的至少一种或两种。

4.一种镓硒氧氟氢非线性光学晶体，其特征在于化学式均为Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F ，均属正交晶系 ，空间群Pna21，晶 胞参数为

α＝β＝γ＝90°， Z＝4，分子量为891.22。

5.根据权利要求4所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体，其特征在于，采用水热法或水溶液法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

6.根据权利要求5所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：

所述水热法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体的具体操作如下：将权利要求3制备的镓硒氧氟氢化合物单相多晶粉末或权利要求3制备的镓硒氧氟氢化合物单相多晶粉末与矿化剂的混合物，或直接将含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物或直接含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物与矿化剂的混合物，加入到高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，再加入去离子水，使其充分混合均匀，得到混合液。将聚四氟乙烯内衬装入高压釜中，并将高压釜置于恒温箱中加热至200‑230摄氏度，再冷却降至室温，将含有晶体的溶液过滤，将含有晶体的溶液过滤，即得到透明的镓硒氧氟氢非线性光学晶体；

所述水溶液法制备镓硒氧氟氢非线性光学晶体的具体操作如下：将权利要求3制备的镓硒氧氟氢化合物单相多晶粉末或权利要求3制备的镓硒氧氟氢化合物单相多晶粉末与矿化剂的混合物，或直接将含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物或直接含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物与矿化剂的混合物，加入到烧杯中；再加入去离子水溶解，将溶液搅拌至澄清，温度加热到150‑250摄氏度，一段时间后得到透明的镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

7.根据权利要求6所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：

所述水热法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体，镓硒氧氟氢化合物单相多晶粉末与矿化剂的摩尔比为1:0‑5；或者其中含镓化合物和含硒化合物与矿化剂的摩尔比为1.5‑3:5‑7:

0.5‑1.5:0‑5；矿化剂包括Ga(NO3)3、Ga2O3、GaCl3、SeO2、H2SeO4、H2SeO3、K2SeO3、Na2SeO3、NH4F、LiF、NaF及HF中的至少一种或多种。

8.一种非线性光学器件，包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置，其特征在于：其中的非线性光学晶体为镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

9.根据权利要求4所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体的用途，其特征在于，镓硒氧氟氢非线性光学晶体用于二次谐波发生器、上、下频率转换器、光参量振荡、激光变频器件、激光通讯等非线性光学器件中。