1.镓硒氧氟氢非线性光学晶体，其特征在于化学式均为Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，均属正交晶系，空间群Pna21，晶胞参数为a=8.7612(8) Å，b=8.8737(8) Å，c=20.148(2) Å, 3

α=β=γ=90°，V= 1566.4(3) Å，Z=4，分子量为891.22。

2.权利要求1所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用水热法或溶液法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：

所述水热法生长Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，非线性光学晶体的具体操作如下：直接将含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物或直接含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物与矿化剂的混合物，加入到高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，再加入去离子水，使其充分混合均匀，得到混合液，将聚四氟乙烯内衬装入高压釜中，并将高压釜置于恒温箱中加热至200‑

230摄氏度，再冷却降至室温，将含有晶体的溶液过滤，即得到透明的镓硒氧氟氢非线性光学晶体；

所述溶液法制备Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F非线性光学晶体的具体操作如下：直接将含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物或直接含镓化合物、含硒化合物和含氟化合物与矿化剂的混合物，加入到烧杯中；再加入去离子水溶解，将溶液搅拌至澄清，温度加热到30‑

300摄氏度，3天后得到透明的镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

4.根据权利要求3所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：

所述水热法生长Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，其中含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物摩尔比为1.5‑3:5‑7:0.5‑1.5。

5.根据权利要求1所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体用于制备一种非线性光学器件，包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置，其特征在于：其中的非线性光学晶体为权利要求1所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体。

6.根据权利要求1所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体的用途，其特征在于，镓硒氧氟氢非线性光学晶体用于二次谐波发生器、上、下频率转换器、光参量振荡、激光变频器件、激光通讯非线性光学器件中。