1.掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：一、喷雾冷冻干燥制备多孔MoO3前驱物混合溶液

将钼酸铵加入到含有1wt％的PVA溶剂中，在70～90℃的温度下搅拌均匀，得到前驱体溶液，前驱体溶液装入喷雾装置中，将前驱体溶液喷入液氮中，冷冻后的粉末转移至真空冷冻干燥机中进行冷冻干燥，得到MoO3粉末，MoO3粉末超声分散去离子水中，得到前驱物混合溶液；

二、掺杂型MoO3@WxOy核壳结构的制备

a、向前驱物混合溶液中加入纳米银溶液，搅拌均匀后倒入含有导电基底的聚四氟乙烯反应釜中，以180～220℃的温度进行水热反应，取出导电基底，经洗涤、干燥后在管式炉中空气气氛下以330～360℃的温度热处理，得到纳米银掺杂的MoO3/导电基底电极；

b、将0.15～0.3gWCl6、0.02～0.04g聚乙二醇和3～8mL浓度为3mol/L的Eu(NO3)3溶液磁力搅拌混合，加入80～120mL无水乙醇，继续搅拌，得到混合液；

c、通过喷涂方式将混合液涂覆在纳米银掺杂的MoO3/导电基底电极上，在紫外线照射下进行分解，最后在空气气氛中300℃下进行热处理，得到掺杂型MoO3@WxOy核壳结构材料；

三、掺杂型MoO3@WxOy@PANI复合薄膜

以掺杂型MoO3@WxOy核壳结构材料为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl作为参比电‑1 ‑1极，电解液中含有0.005～0.02mol L 的高氯酸和0.1～0.3mol L 的苯胺单体溶液，进行电沉积处理，得到掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜；

其中步骤一前驱体溶液中钼酸铵的含量为5～15wt％。

2.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中在70～90℃的温度下搅拌1h。

3.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中前驱体溶液中钼酸铵的含量为10wt％。

4.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于是步骤一在真空冷冻干燥机中以‑60℃，10Pa条件冷冻干燥24h。

5.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤a中所述的导电基底为FTO基底。

6.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤a中向50mL前驱物混合溶液中加入5mL 80ppm纳米银溶液。

7.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤a中在管式炉中空气气氛下以350℃的温度热处理2h。

8.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤b中将0.2gWCl6、0.028g聚乙二醇和5mL浓度为3mol/L的Eu(NO3)3溶液磁力搅拌混合，加入100mL无水乙醇，继续搅拌1h，得到混合液。

9.根据权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的制备方法，其特征在于‑2步骤三中在2mA cm 的电流密度下，进行电沉积处理30～60min。

10.如权利要求1所述的掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜的应用，其特征在于将掺杂型MoO3@WxOy@PANI异质复合薄膜作为电致变色超级电容器的负极材料或者光催化材料。