1.一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：将改性基胶、支状氮化硼和流平剂投加到密炼机中，在氮气氛围下升温至90-100℃密炼40-60min，制成复合胶；

步骤S2：将复合胶纺丝成膜，之后红外辐照20min，再浸入氯化钠溶液中剥离，制成导热隔膜；

所述改性基胶的制备方法为：取聚丙烯母粒和甲苯升温溶解，保持温度为88-95℃，紫外光辐照条件下通入氯气反应2-4h，反应结束通入氮气气洗，之后在搅拌状态下同时加入片层氮化硼和硅烷偶联剂KH550，通入氨气搅拌反应30-50min，制成改性基胶；

所述片层氮化硼由以下方法制备：

步骤A1：取氮化硼微粉和高锰酸钾混合，空气氛围下升温至180-200℃焙烧2-3h，焙烧后转入稀硫酸中淬冷，离心分离取下层沉淀用水洗涤数次，制成氧化渣；

步骤A2：取乙撑胺和异丙醇混合制成剥离液，加入氧化渣混合后在55kHz下超声剥离3-5h，静置30min，取上清液滴加盐酸调节pH值为6，离心取下层沉淀真空干燥，制成片层氮化硼；

所述支状氮化硼由以下方法制备：

步骤B1：取硼酸和三聚氰胺混合后加入乙醇溶液升温搅拌混合，之后降温析出絮状物，离心分离出絮状物真空干燥，制成配合料；

步骤B2：向井式坩埚炉中通入氮气，将配合料平铺在坩埚中，升温至1200-1300℃保温煅烧5-7h，降温后取煅烧产物，制成氮化硼母料；

步骤B3：将氮化硼母料和水循环湿磨，向浆料中加入硅烷偶联剂KH550，搅拌混合过夜喷雾干燥，制成支状氮化硼。

2.根据权利要求1所述的一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，红外辐照采用中频红外线，照射距离为10-15cm。

3.根据权利要求1所述的一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，聚丙烯母粒、甲苯、片层氮化硼和硅烷偶联剂KH550的用量比为100g：300-360mL：2.7-3.5g：6-10mL，氯气的通入量为0.12vvm。

4.根据权利要求1所述的一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，氮化硼微粉和高锰酸钾的用量质量比为10：0.6-0.8，氮化硼微粉的众数粒径为2μm，稀硫酸的质量分数为10％。

5.根据权利要求1所述的一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，乙撑胺和异丙醇的用量比为7.5-9g：1L，氧化渣在剥离液中的浓度为50-80g/L。

6.根据权利要求1所述的一种高频电容用导热隔膜的制备方法，其特征在于，硼酸和三聚氰胺的用量质量比为2.6-2.8：1-1.2。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法制备的导热隔膜，其特征在于，导热隔膜按重量份计包括改性基胶80-100份、支状氮化硼1.2-2.5份和流平剂1-3份。