1.一种氧化镍/氧化镓异质结二极管，所述二极管是基于整片晶圆制造的整个圆片二极管，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga2O3衬底层、n型低掺Ga2O3外延层以及p型NiO高掺层，其特征在于：所述半导体层的圆形外壁具有70～85°的正斜面，靠近阴极电极的部分为小直径端，靠近阳极电极的部分为大直径端，所述n型低掺Ga2O3外延层厚度为20μm以上；所述半导体层的正斜面外附着有钝化层；所述钝化层为SiO2，所述钝化层厚度为0.3μm以下。

2.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述半导体层的正斜面的角度为78°。

3.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述n型高掺Ga2O3衬

19 ‑3

底层的电子浓度为1×10 cm 以上，厚度为100nm‑600μm。

4.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述n型低掺Ga2O3外

16 ‑3

延层的电子浓度为1.5×10 cm ，厚度为20μm。

5.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述p型NiO高掺层

19 ‑3

的电子浓度为3.6×10 cm 以上，厚度为100nm。

6.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述阴极电极的欧姆接触层材质为Ti/Au，厚度20nm‑100nm的Ti或100nm‑400nm的Au。

7.如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管，其特征在于：所述阳极电极的欧姆接触层材质为Ni/Au，厚度20nm‑100nm的Ni或100nm‑400nm的Au。

8.一种如权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质结二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：外延生长低掺杂n型Ga2O3层；

步骤2：将清洗后n‑ Ga2O3外延片的衬底层进行减薄处理，将n‑Ga2O3外延层旋涂光刻胶，软烘，作为保护层；再将n‑Ga2O3外延层用石蜡粘在减薄机的托盘上，进行研磨减薄，减薄

300um，再直接用抛光机对n‑Ga2O3衬底层抛光；

步骤(3)：溅射高掺层p‑NiO；

步骤(4)：制作阳极并清洗；在高掺NiO层上进行光刻，以形成阳极区域，通过电子束蒸发E‑Beam系统在阳极区域淀积厚度为60nm/120nm的Ni/Au，将淀积完金属后的样片放入丙酮溶液进行剥离，形成阳极电极；

步骤(5)：制作阴极；在高掺n型Ga2O3衬底背面蒸发金属Ti/Au，其中Ti的厚度为 20nm‑

100nm，Au厚度为100nm‑400nm；

步骤(6)：等离子体刻蚀斜面，对低掺杂n型Ga2O3外延层进行光刻，光刻后再放入等离子体刻蚀机设备中，在BCl3和Ar2的气体环境下，刻蚀角度调整为78°；

步骤(7)：用PECVD设备在斜面生长厚度小于300nm的SiO2。