1.一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，为全向天线阵列，其特征在于包括两个轴对称的单极锥天线(1)、低频去耦元件、高频去耦元件、以及系统地板；

所述单极锥天线(1)的外周连接有环状结构的顶帽(2)，顶帽(2)底部设有两根关于单极锥天线(1)中心对称的第一接地短柱(3)，所述单极锥天线(1)通过锥顶加载馈电贴片(4)激励；

所述低频去耦元件位于两个单极锥天线(1)间，包括两个“C”形环(5)、长条带(6)、两个第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)；所述“C”形环(5)位于所述顶帽(2)的下方，且所述“C”形环(5)与所述顶帽(2)间留有间隙；两个“C”形环(5)的外凸侧中心通过长条带(6)连接；所述“C”形环(5)与所述长条带(6)的连接端下方设有第二接地短柱(7)，所述长条带(6)的中心位置下方设有第三接地短柱(8)；

所述高频去耦元件位于低频去耦元件两侧，包括两个关于所述长条带(6)轴对称的高频去耦元件，每个高频去耦元件包括相互正交的金属短柱(9)、第四接地短柱(10)；所述金属短柱(9)与所述长条带(6)垂直设置，且两者间留有间距；所述第四接地短柱(10)与所述第三接地短柱(8)平行设置；

所述第一接地短柱(3)、第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)、第四接地短柱(10)接系统地板；所述金属短柱(9)与系统地板平行设置。

2.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，两个单极锥天线(1)中心距离为0.8λ0，λ0表示低频与高频的平均中心频率所对应波长；第一接地短柱(3)与所在单极锥天线(1)中心的距离为0.28λ0；低频去耦元件中“C”形环(5)与所述顶帽(2)的距离为0.003λ0。

3.根据权利要求2所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述长条带(6)的长度为0.26λ0。

4.根据权利要求2所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)的高度为0.13λ0。

5.根据权利要求2所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第一接地短柱(3)的高度hm为0.14λ0。

6.根据权利要求2所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第四接地短柱(10)的高度为0.1λ0，所述金属短柱(9)的长度为0.25λ0。

7.根据权利要求2或4所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)长度为0.02λ0。

8.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述单极锥天线(1)、系统地板、低频去耦元件、高频去耦元件均采用金属材质。

9.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，低频为2.4GHz‑2.5GHz频带，高频为5GHz‑6GHz频带。

10.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，两个单极锥天线(1)等效电路A由RLC串联谐振电路构成，包括电阻R1、电容C1a、电感L1a、电容C1b、电感L1b，其中电阻R1的一端接地，另一端接电容C1a的一端；电容C1a的另一端接电感L1a的一端，电感L1a的另一端接电感L1b的一端，电感L1b的另一端接电容C1b的一端；电容C1b的另一端接端口；R1＝131.71ohm，C1a＝2.76pF，L1a＝0.00036nH，C1b＝4.92pF，L1b＝2.32nH；

两个单极锥天线(1)之间的初始耦合等效电路B由两根传输线TLine1、串联电容C2、串联电感L22、并联接地电感L21构成，其中一根传输线TLine1的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内电感L1a的另一端、电感L1b的一端，另一端接串联电感L22的一端；串联电感L22的另一端接串联电容C2的一端；串联电容C2的另一端接并联接地电感L21的一端；串联电感L21的另一端接另一根传输线TLine1的一端；另一根传输线TLine1的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内电感L1a的另一端、电感L1b的一端；传输线TLine1的特征阻抗z1＝48.13ohm，电长度e1＝26.58°，C2＝0.85pF，L21＝6.37nH，L22＝6.37nH；

低频去耦元件的等效电路C由两个串联传输线Tline2、两个串联电容C3、两个串联电感L3a、两个两侧的并联电感L3b、中间并联电感L3c组成，其中一根串联传输线Tline2的一端连接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接其中一个串联电容C3的一端；其中一个串联电容C3的另一端接其中一个串联电感L3a的一端、其中一个并联电感L3b的一端；其中一个并联电感L3b的另一端接另一个串联电感L3a的一端、中间并联电感L3c的一端；另一个串联电感L3a的另一端接另一个并联电感L3b的一端、另一个串联电容C3的一端；另一个串联电容C3的另一端接另一根串联传输线Tline2的一端；另一根串联传输线Tline2的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；两个并联电感L3b的另一端、中间并联电感L3c的另一端接地；C3＝0.036pF，L3a＝22.32nH，L3b＝39.87nH，L3c＝3.01nH，串联传输线Tline2电长度e2＝0°；

高频去耦元件的等效电路D由电阻R4、电感L4、电容C4串联构成，与低频去耦元件的等效电路C并联设置；电阻R4的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接电感L4的一端；电感L4的另一端接电容C4的一端；电容C4的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；其中R4＝179.95ohm，L4＝12.22nH，C4＝0.08pF；所述单极锥天线(1)由RLC串联谐振电路等效，其中R1＝131.71ohm，C1a＝2.76pF，L1a＝0.00036nH，C1b＝4.92pF，L1b＝

2.32nH。