1.一种应用于智能移动设备电源系统的小体积带隙基准电压源集成电路，其特征在于，

包括：PTAT电压产生电路(1)和VREF电压产生电路(2)；

PTAT电压产生电路(1)产生正比例温度系数电压和偏置电压，并输出到VREF电压产生电路(2)中；

VREF电压产生电路(2)产生反比例温度系数电压，并将其与正比例温度系数电压进行叠加，进而产生不受环境温度变化影响的基准电压；

PTAT电压产生电路(1)包含有频率补偿设计，使电路系统能够在较宽频带范围内稳定工作；

PTAT电压产生电路(1)包括偏置电路(11)、正比例温度系数电压电路(12)和频率补偿电路(13)；

偏置电路(11)与正比例温度系数电压电路(12)连接，偏置电路(11)为正比例温度系数电压电路(12)提供偏置电压，维持其正常工作；频率补偿电路(13)与正比例温度系数电压电路(12)连接，并通过端口VM1和端口VM2，与VREF电压产生电路(2)连接；频率补偿电路(13)对电路系统进行频率补偿，使电路系统在较宽频率范围内能够稳定工作；正比例温度系数电压电路(12)用于产生正比例温度系数电压vpt，并输出到VREF电压产生电路(2)中；

频率补偿电路(13)包括MOS管M8、M11和M16，电容C1，端口VM1；

MOS管M8的漏极连接MOS管M11的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M11的栅极，MOS管M8的源极接地；MOS管M11的漏极连接MOS管M11的栅极，MOS管M11的栅极连接MOS管M16的栅极，MOS管M11的源极接地；MOS管M16的漏极连接MOS管M15的源极，MOS管M16的栅极连接电容C1的下端，MOS管M16的源极接地；电容C1的下端连接MOS管M8的栅极，电容C1的上端连接端口VM1；

VREF电压产生电路(2)包含有抗干扰设计，有效消除了电源电压波动对输出基准电压的影响，使电路系统具有较高的精准度；

VREF电压产生电路(2)包括耦合电路(21)和基准电压电路(22)；耦合电路(21)与基准电压电路(22)连接，耦合电路(21)有效消除了电源电压波动对基准电压电路(22)的影响，使电路系统具有较高的精准度；基准电压电路(22)用于产生不受环境温度变化影响的基准电压vref，并通过端口VREF输出；

耦合电路(21)包括MOS管M17至M20，电容C2，端口VB2，端口VS2；

MOS管M17的源极连接电源VDD，MOS管M17的栅极连接MOS管M21的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的漏极；MOS管M18的漏极连接MOS管M17的栅极，MOS管M18的栅极连接端口VB2，MOS管M18的源极连接MOS管M19的漏极；电容C2的上端连接MOS管M18的漏极，电容C2的下端连接MOS管M18的源极；MOS管M19的漏极连接MOS管M18的源极，MOS管M19的栅极连接端口VS2，MOS管M19的源极连接MOS管M20的漏极；MOS管M20的漏极连接MOS管M19的源极，MOS管M20的栅极连接MOS管M20的漏极，MOS管M20的源极接地；

PTAT电压产生电路(1)中不包含双极结型晶体管，VREF电压产生电路(2)中仅包含1个双极结型晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种应用于智能移动设备电源系统的小体积带隙基准电压源集成电路，其特征在于，偏置电路(11)包括MOS管M1至M7；

MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M12的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的漏极；MOS管M2的漏极连接MOS管M1的栅极，MOS管M2的栅极连接MOS管M5的栅极，MOS管M2的源极连接MOS管M3的漏极；MOS管M3的漏极连接MOS管M2的源极，MOS管M3的栅极连接MOS管M7的漏极，MOS管M3的源极连接MOS管M4的漏极；MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的源极连接地；

MOS管M5的漏极连接电源VDD，MOS管M5的栅极连接MOS管M5的漏极，MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极；MOS管M6的漏极连接MOS管M5的源极，MOS管M6的栅极连接MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极；MOS管M7的漏极连接MOS管M7的栅极，MOS管M7的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M7的源极接地。

3.根据权利要求1所述的一种应用于智能移动设备电源系统的小体积带隙基准电压源集成电路，其特征在于，正比例温度系数电压电路(12)包括MOS管M9、M10、M12、M13、M14和M15，端口VB1，端口VP1，端口VT1，端口VS1；

MOS管M9的源极连接MOS管M14的源极，MOS管M9的栅极连接端口VT1，MOS管M9的漏极连接MOS管M10的漏极；MOS管M10的漏极连接MOS管M9的漏极，MOS管M10的栅极连接MOS管M15的栅极，MOS管M10的源极连接MOS管M11的漏极；MOS管M12的源极连接电源VDD，MOS管M12的栅极连接MOS管M1的漏极，MOS管M12的漏极连接MOS管M13的源极；

MOS管M13的源极连接MOS管M12的漏极，MOS管M13的栅极连接MOS管M13的漏极，MOS管M13的漏极连接端口VB1；MOS管M14的源极连接MOS管M13的漏极，MOS管M14的栅极连接端口VP1，MOS管M14的漏极连接MOS管M15的漏极；MOS管M15的漏极连接端口VS1，MOS管M15的栅极连接MOS管M10的漏极，MOS管M15的源极连接MOS管M16的漏极。

4.根据权利要求1所述的一种应用于智能移动设备电源系统的小体积带隙基准电压源集成电路，其特征在于，基准电压电路(22)包括MOS管M21和M22，电阻R1和R2，双极结型晶体管Q1，端口VM2，端口VP2，端口VT2，端口VREF；

MOS管M21的源极连接电源VDD，MOS管M21的栅极连接MOS管M17的漏极，MOS管M21的漏极连接MOS管M22的源极；MOS管M22的源极连接端口VM2，MOS管M22的栅极连接MOS管M22的漏极，MOS管M22的漏极连接电阻R1；电阻R1的上端连接端口VREF，电阻R1的下端连接电阻R2的上端；电阻R2的上端连接端口VP2，电阻R2的下端连接端口VT2；双极结型晶体管Q1的发射极连接电阻R2的下端，双极结型晶体管Q1的基极接地，双极结型晶体管Q1的集电极接地。