1.一种双零点高隔离双极化直通探针贴片天线，其特征在于包括：

介质基板；

微带解耦网络(1)，位于介质基板下表面；

系统地板(2)，位于介质基板上表面；

两个直通探针(3)，贯穿介质基板、系统地板与微带解耦网络(1)连接，且垂直于系统地板；

金属贴片(4)，与两个直通探针(3)的上端连接，且与系统地板(2)不接触；

中和线(5)，连接两个直通探针(3)，与金属贴片(4)和系统地板(2)不接触；

其中：

所述中和线(5)与两个直通探针(3)构成开口的矩形环；

所述微带解耦网络(1)包括第一至十一竖向微带线、第一至十一横向微带线、斜向微带线；第一竖向微带线的一端接第一馈电端口(6‑1)，另一端接第二横向微带线的一端；第二横向微带线的另一端接第三横向微带线的一端、第四竖向微带线的一端；第三横向微带线的另一端接第三竖向微带线的一端；第三竖向微带线的另一端接第一横向微带线的一端；

第一横向微带线的另一端接第二竖向微带线的一端；第二竖向微带线的另一端接其中一个直通探针(3)下端；第四竖向微带线的另一端接第四横向微带线的一端；第四横向微带线的另一端接第五竖向微带线的一端；第五竖向微带线的另一端接第五横向微带线的一端；第五横向微带线的另一端接第六竖向微带线的一端；第六竖向微带线的另一端接第六横向微带线的一端、斜向微带线的一端；斜向微带线的另一端悬空；第六横向微带线的另一端接第七竖向微带线的一端；第七竖向微带线的另一端接第七横向微带线的一端；第七横向微带线的另一端接第八竖向微带线的一端；第八竖向微带线的另一端接第八横向微带线的一端；第八横向微带线的另一端接第九竖向微带线的一端、第十竖向微带线的一端；第九竖向微带线的另一端接第九横向微带线的一端；第九横向微带线的另一端接第十一竖向微带线的一端；第十一竖向微带线的另一端接第十横向微带线的一端；第十横向微带线的另一端接另一个直通探针(3)下端；第十竖向微带线的另一端接第十一横向微带线的一端；第十一横向微带线的另一端接第二馈电端口(6‑2)；

所述微带解耦网络(1)在基板上的投影位于所述中和线(5)围合的矩形环环内；

所述双零点高隔离双极化直通探针贴片天线在直通探针(3)与所述微带解耦网络(1)相接处以上部分视为一个整体，用传输二端口矩阵表示[A5，B5；C5，D5]；所述微带解耦网络(1)等效为一对特征阻抗和电长度为(z5，e5)的传输线与T型结构DS2并联构成，其中T型结构DS2等效为一对特征阻抗和电长度为(z6，e6)的传输线和在频率点f1处开路1/4长度与特征阻抗为z7的传输线构成，通过调节变量z5，e5，z6，e6，z7，在频率点f2处具体解耦推导公式如下：E]

Re[Y11 ＝Y0    (1)

E

Re[Y21]＝0    (2)

E E

其中Y0表示50欧姆特征阻抗Z0的倒数，Y11 表示S11端口的自导纳，Y21表示S21端口的互导纳， 表示T型结构DS2一个端口的自导纳， 表示T型结构DS2两端口之间的互导纳，Re[·]表示实部，Im[·]表示虚部；

如果方程(1)‑(4)满足，那么在频率点f2处实现解耦；

所述双零点高隔离双极化直通探针贴片天线，在工作频带内S12具有两个零点且S12均在‑40dB以下，利用中和线(5)并联在双直通探针(3)，所述中和线(5)引入解耦频带内的第一个零点，所述微带解耦网络(1)引入解耦频带内的第二个零点。

2.根据权利要求1所述天线，其特征在于，两个直通探针(3)间的夹角为90°。

3.根据权利要求1所述天线，其特征在于，所述中和线(5)与直通探针(3)的侧边连接。

4.根据权利要求1所述天线，其特征在于，所述斜向微带线位于所述中和线(5)围合的矩形环的对角线上。

5.根据权利要求1所述天线，其特征在于，所述第一至十一横向微带线与所述中和线(5)围合的矩形环的长边平行；第一至十一竖向微带线与所述中和线(5)围合的矩形环的宽边平行。

6.根据权利要求1所述天线，其特征在于，所述微带解耦网络(1)关于斜向微带线所在直线呈轴对称。

7.根据权利要求1所述天线，其特征在于，所述系统地板(2)的尺寸大小与介质基板相同。

8.根据权利要求1所述天线，其特征在于，并联中和线(5)与微带解耦网络(1)抵消原级联电路之间的导纳虚部。