1.一种基于可控开关电容的全半桥谐振变换器构造，其特征在于：全半桥谐振变换器拓扑结构包括输入电路和输出电路；

所述输入电路即一次侧的全桥电路，由直流电压源Vin，开关管S1、S2、S3、S4，体二极管D1、D2、D3、D4，寄生电容C1、C2、C3、C4，谐振电容Ceq由可控开关电容Cscc和电容Cs串联等效，高频变压器Tr和谐振电感Ls构成，其中，Cscc包括开关管Sa、Sb和电容Ca；

所述输出电路即二次侧的半桥电路，由输出负载Vout，开关管S5、S6，体二极管D5、D6，寄生电容C5、C6，均压电容Co1和Co2组成。

2.根据权利要求1所述的一种基于可控开关电容的全半桥谐振变换器构造，其特征在于：所述体二极管D1反并联开关管S1上；寄生电容C1并联开关管S1上,体二极管D2反并联开关管S2上；寄生电容C2并联开关管S2上,体二极管D3反并联开关管S3上；寄生电容C3并联开关管S3上,体二极管D4反并联开关管S4上；寄生电容C4并联开关管S4上，体二极管D5反并联开关管S5上；寄生电容C5并联开关管S5上，体二极管D6反并联开关管S6上；寄生电容C6并联开关管S6上。

3.根据权利要求2所述的一种基于可控开关电容的全半桥谐振变换器构造，其特征在于：可控开关电容Cscc由开关管Sa和Sb反向串联和电容Ca并联组成，然后与电容Cs串联等价为电容Ceq，电容Ceq串联电感Ls，高频隔离变压器匝数比为1：n，均压电容Co1和Co2并联在输出负载Vout上，一次侧中点高频交流电压vAB正电位连接在开关S1和S2的中间，负电位连接在开关S3和S3的中间，二次侧中点高频交流电压vCD正电位连接在开关S5和S6之间，负电位连接在均压电容Co1和Co2之间。

4.根据权利要求3所述的一种基于可控开关电容的全半桥谐振变换器构造，其特征在于：变换器结合调制策略可以实现宽电压范围下的ZVS，能够在额定功率下，电压增益为

0.5‑1之间实现全部开关的ZVS。

5.根据权利要求4所述的一种基于可控开关电容的全半桥谐振变换器构造，其特征在于：所有开关管均选用MOSFET或IGBT。