1.基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于，包括位移光纤和传感光纤，所述位移光纤的右端正对传感光纤左端，所述位移光纤和传感光纤间设有间隙，所述传感光纤为渐变多模光纤，所述传感光纤的第二石英纤芯上设有张口竖直向上的第一V槽和第二V槽，所述第一V槽表面镀有第一传感金属膜，所述第二V槽表面镀有第二传感金属膜，所述第一传感金属膜和第二传感金属膜表面均涂覆有紫外固化胶。

2.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述位移光纤为单模光纤，所述位移光纤包括：第一石英纤芯、第一石英包层和第一涂覆层，所述第一石英包层环形包覆第一石英纤芯，所述第一涂覆层环形包覆第一石英层远离传感光纤一端预设区域。

3.如权利要求2中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述第一石英纤芯为圆柱形，所述位移光纤的折射率分布为为阶跃型。

4.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述传感光纤包括：第二石英纤芯、第二石英包层和第二涂覆层，所述第二石英层环形包覆在第二石英纤芯除第一V槽和第二V槽之外的区域，所述第二涂覆层环形包覆第二石英层远离位移光纤一端预设区域。

5.如权利要求4中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述第二石英纤芯为圆柱形，所述传感光纤的折射率分布为渐变型。

6.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述第一V槽张角和第二V槽张角相同，所述第一传感金属膜和第二传感金属膜相同。

7.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述第一传感金属膜和第二传感金属膜均包括金或银。

8.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：第一传感金属膜和第二传感金属膜的厚度均为30‑60nm。

9.如权利要求1中所述的基于光纤V槽的高灵敏度可方向识别SPR微位移传感器，其特征在于：所述间隙为0.1‑5μm，所述位移光纤上下移动时发生于与传感光纤轴向相垂直的位移。