1.一种基于耦合金属导线的滤波器，包括设于介质基板上的金属导线Ⅰ（1）、金属导线Ⅱ（2）、金属导线Ⅲ（3）、金属导线Ⅳ（4）、金属导线Ⅴ（5）、金属导线Ⅵ（6）、金属导线Ⅶ（7）；

其特征在于：

所述的金属导线Ⅰ（1）的左侧和金属导线Ⅱ（2）耦合，组成第一耦合微带线路TL1；金属导线Ⅰ（1）的右侧与金属导线Ⅲ（3）耦合，组成第二耦合微带线路TL2；金属导线Ⅱ（2）的右端和金属导线Ⅲ（3）的左端之间断开，金属导线Ⅰ（1）的左端和金属导线Ⅱ（2）的左端齐平，金属导线Ⅰ（1）的右端和金属导线Ⅲ（3）的右端齐平；

所述的金属导线Ⅳ（4）、金属导线Ⅴ（5）耦合，组成第三耦合微带线路TL3，第三耦合微带线路TL3垂直于第一耦合微带线路TL1；

所述的金属导线Ⅵ（6）和金属导线Ⅶ（7）耦合，组成第四耦合微带线路TL4，第四耦合微带线路TL4与第三耦合微带线路TL3平行；

所述的金属导线Ⅱ（2）的左端与金属导线Ⅴ（5）的上端连接后与Term1端口连接，所述的金属导线Ⅲ（3）的右端与金属导线Ⅵ（6）的上端连接后与Term2端口连接；

所述的金属导线Ⅳ（4）和金属导线Ⅶ（7）的下端接地。

2.如权利要求1所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：所述的金属导线Ⅰ（1）、金属导线Ⅱ（2）、金属导线Ⅲ（3）、金属导线Ⅳ（4）、金属导线Ⅴ（5）、金属导线Ⅵ（6）、金属导线Ⅶ（7）的宽度一致。

3.如权利要求1所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：所述的金属导线Ⅰ（1）、金属导线Ⅱ（2）、金属导线Ⅲ（3）、金属导线Ⅳ（4）、金属导线Ⅴ（5）、金属导线Ⅵ（6）、金属导线Ⅶ（7）均为铜线。

4.如权利要求1所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：所述的Term1端口和Term2端口由高电导率材料制成，特性阻抗为50Ω。

5.如权利要求1所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：所述的Term1端口和Term2端口由铜片制成。

6.如权利要求1所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：所述的介质基板型号为RT_Duroid5880，厚度为0.8mm。

7.一种基于耦合金属导线的滤波开关，包括如权利要求1‑6任何一项所述的基于耦合金属导线的滤波器，其特征在于：还包括通断控制模块，所述的金属导线Ⅰ（1）的左端与通断控制模块电连接。

8.如权利要求7所述的基于耦合金属导线的滤波开关，其特征在于：所述的通断控制模块包括PIN二极管、电容Cb、扼流电阻R；所述的电容Cb的负极接地，电容Cb的正极与扼流电阻R的一端连接后与PIN二极管的正极连接，PIN二极管的负极与金属导线Ⅰ（1）的左端连接；所述的扼流电阻R的另一端与电源Vdc连接。