1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1：进行版图设计；

步骤2：筛选出所述版图设计中关于待加工芯片的每一堆叠层中需要加工的多个第一硅通孔；

步骤3：对所述每一堆叠层的所述多个第一硅通孔进行有限元应力分析，得到所述每一堆叠层的第一区域和第二区域；所述第一区域上的所述第一硅通孔承受应力值大于或等于第一应力值；所述第二区域上的第一硅通孔承受应力值小于所述第一应力值；

步骤4：对所述每一堆叠层中的所述第二区域上的所述第一硅通孔迭代进行所述步骤1到所述步骤3的操作，直到所述每一堆叠层上的所述多个第一硅通孔均位于所述第一区域；

步骤5：对所述每一堆叠层上的所述多个第一硅通孔进行互联走线设计；

所述步骤3还包括：得到第三区域；所述第三区域为设计和/或加工过程中不允许设置硅通孔的区域；

所述步骤4具体包括：对所述每一堆叠层中的所述第二区域和所述第三区域上的所述第一硅通孔迭代进行所述步骤1到所述步骤3的操作，直到所述每一堆叠层上的所述多个第一硅通孔均位于所述第一区域；

所述步骤5具体包括步骤5.1：确定第一互联走线；所述第一互联走线为垂直连接三个以上的多个所述堆叠层上的所述第一硅通孔的互联走线；

步骤5.2：确定第二互联走线；所述第二互联走线垂直连接相邻两个所述堆叠层上的所述第一硅通孔的互联走线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：步骤3.1：对所述每一堆叠层分别建立加工平面坐标系；

步骤3.2：获取所述多个第一硅通孔在对应的所述加工平面坐标系下的坐标位置；

步骤3.3：获取每个所述第二区域和所述第三区域在平面坐标系下的坐标函数，得到所述第二区域和所述第三区域的区域函数组；

步骤3.4：依次计算判断每个所述第一硅通孔的坐标位置是否满足不落入到对应的所述区域函数组中；若有某一第一硅通孔的坐标位置满足落入到对应的所述区域函数组，则判断所述某一第一硅通孔位于所述第二区域和/或所述第三区域内，反之则判断所述某一第一硅通孔没有位于所述第二区域和所述第三区域内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述步骤4和所述步骤5的结果得到最终设计版图，根据所述最终设计版图生产掩膜进行芯片封装加工。

4.一种电子设备，其特征在于，包括加工仪器；所述加工仪器包括处理器和存储器；所述存储器包括指令；所述指令用于指示所述处理器控制所述加工仪器进行如权利要求1‑3任一项所述的芯片封装方法。

5.一种计算机可读存储介质，其特征在于，包括指令；当所述指令在如权利要求4所述的电子设备上进行时，使得所述电子设备执行如权利要求1‑3任一项所述的方法。