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专利号: 2023101063810
申请人: 赵秀风
专利类型:发明专利
专利状态:授权未缴费
更新日期:2024-11-12
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:具体包含以下步骤:S1、将3‑

8mol的CsCl和5‑12mol的乙酰丙酮锌溶液和1‑2mol的羧甲基纤维素钠投放入至500ml的烧杯中,搅拌3‑8h;S2、将20‑40mol的多层状的MoS2粉末加入至S1得到的溶液中,超声1‑3h后,得到MoS2粉末的分散体系;S3、将S2得到的粉末分散体系转移到不锈钢高压反应釜中,在

250‑330℃温度下反应18‑22h,室温至冷却后取出;S4、将S3得到的不锈钢反应釜内的溶液倒入烧杯中,用0.1‑0.3M的HCl超声清洗20‑40min后,将HCl换成去离子水继续超声处理1‑

2h,随后进行真空过滤,过滤物在60‑80℃烘箱中干燥,得到剥离后的单层片状MoS2。

2.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S1中选用3mol的CsCl。

3.根据权利要求1或2所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S1中选用8mol的乙酰丙酮锌。

4.根据权利要求3所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S1中搅拌时间为5h。

5.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S2中超声时间为2h。

6.根据权利要求5所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:,步骤S2中加入32mol的多层状的MoS2粉末。

7.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S3中反应温度为300℃。

8.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S3中反应时间为20h。

9.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS2获得片状结构方法,其特征在于:步骤S4中选用的HCl为0.2M。