1.一种具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：将硫脲加入五水合硝酸铋溶液中，搅拌充分后，先进行水热反应，冷却至室温，离心，干燥，经放电等离子煅烧后，得到具有高电导率的硫化铋半导体材料。

2.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，实验原料仅涉及硫脲和五水合硝酸铋，实验过程中不再添加其他物质，所述硫脲：五水合硝酸铋的质量比为(1.03～1.568)：(2.51～3.11)。

3.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述五水合硝酸铋溶液由每2.51～3.11g五水合硝酸铋溶于60～80mL的蒸馏水中，室温下搅拌5～20min制得。

4.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为100～160℃。

5.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的时间为8～16h。

6.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述煅烧的压力为30～50Mpa，煅烧的温度为300～500℃，保温时间为2～20min。

7.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述搅拌的条件为先搅拌10～20min，超声分散15～30min，再次搅拌15～30min。

8.根据权利要求1所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料的制备方法，其特征在于，所述干燥温度为70℃，干燥时间为12h。

9.采用权利要求1～8任意一项制备方法制得的具有高电导率的硫化铋半导体材料，其特征在于，在323～523K范围内，电导率达25～32S/cm。

10.权利要求9所述的具有高电导率的硫化铋半导体材料在制备光电传感器、光电探测器、光电二极管、高温航天器超长寿命电源、自供电传感器和热电器件材料中的应用。