1.一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，包括n‑GaN层(1)、量子阱InGaN层(2)、p‑GaN层(3)、Si衬底(4)、纳米多孔GaN(7)和偶极子源(8)；

所述p‑GaN层(3)、量子阱InGaN层(2)、n‑GaN层(1)和纳米多孔GaN(7)由下到上依次设置在Si衬底(4)上；

所述偶极子源(8)设置在量子阱InGaN层(2)内；所述纳米多孔GaN(7)含有周期性纳米多孔结构阵列。2.根据权利要求1所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述纳米多孔GaN(7)的纳米孔半径小于等于100nm。

3.根据权利要求2所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述纳米多孔GaN(7)的纳米孔半径小于等于25nm。

4.根据权利要求2所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述纳米多孔GaN(7)的周期小于等于160nm；纳米多孔GaN(7)的深度小于等于1000nm。

5.根据权利要求4所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述纳米多孔GaN(7)的周期小于等于140nm；纳米多孔GaN(7)的深度小于等于1000nm。

6.根据权利要求5所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述纳米多孔GaN(7)的纳米孔半径等于25nm，所述纳米多孔GaN(7)的周期等于140nm；纳米多孔GaN(7)的深度等于600nm。

7.根据权利要求1所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述n‑GaN层(1)、量子阱InGaN层(2)、p‑GaN层(3)和Si衬底(4)的厚度分别为2280nm、240nm、157nm和120μm。

8.根据权利要求1所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，还包括PML边界(9)和监视器(6)；

所述n‑GaN层(1)、量子阱InGaN层(2)、p‑GaN层(3)、Si衬底(4)、监视器(6)和纳米多孔GaN(7)置于PML边界(9)内；

所述PML边界(9)内在n‑GaN层(1)上部和纳米多孔GaN(7)的内部间隙内均为空气(5)；所述监视器(6)位于n‑GaN层(1)的上方以及量子阱InGaN层(2)、p‑GaN层(3)和Si衬底(4)的外侧或内部。

9.根据权利要求8所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述n‑GaN层(1)、量子阱InGaN层(2)、p‑GaN层(3)、Si衬底(4)和空气(5)的折射率分别为2.47、2.7、2.47、4.58和1。

10.根据权利要求8所述的一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，其特征在于，所述监视器(6)包含六个功率监视器、三个场分布监视器、一个折射率监视器和四个时间监视器。