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专利号: 2023112717705
申请人: 阜阳万瑞斯电子锁业有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:授权未缴费
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-11-21
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,包括框架基板(1)和定位部(2),所述框架基板(1)和定位部(2)通过锁紧机构(3)连接;

其中,所述框架基板(1)的顶面开设有供二极管封装的二极管安装槽(101),框架基板(1)的底面开设有用于二极管散热的散热部(104);

所述散热部(104)包括多个走线孔(106),走线孔(106)贯穿框架基板(1)设置,且多个相邻的走线孔(106)之间通过对流通道(107)形成空气对流,用于二极管在二极管安装槽(101)内的散热。

2.根据权利要求1所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述散热部(104)为内凹的矩形槽结构,所述散热部(104)的矩形槽内部设置有散热片(109)。

3.根据权利要求2所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,二极管在二极管安装槽(101)内封装形成二极管封装体(111),二极管封装体(111)底部设置有导热板(110),导热板(110)在二极管安装槽(101)内加盖在走线孔(106)上。

4.根据权利要求3所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述走线孔(106)内设置有散热柱(108),散热柱(108)的上端与导热板(110)相抵,散热柱(108)的下端与散热片(109)连接。

5.根据权利要求1所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述框架基板(1)上且位于二极管安装槽(101)的横向两侧开设有用于布线的走线槽(102)。

6.根据权利要求1所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述框架基板(1)上且位于散热部(104)的四周侧面上均开设有散热通道(105)。

7.根据权利要求1所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述二极管安装槽(101)的内部一侧开设有限位孔(103),二极管安装槽(101)的内部另一侧开设有卡槽(310)。

8.根据权利要求7所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述定位部(2)的顶面上开设有提手槽(202),且在提手槽(202)下方开设有封装槽(203);

所述锁紧机构(3)包括固定设置在提手槽(202)内部的销轴(301),所述销轴(301)上转动连接有套筒,套筒的外圆周面上固定设置有把手(302)和连接板(303),所述连接板(303)端部滑动连接有卡块(308),所述卡块(308)在封装槽(203)内受弹力作用在水平方向上移动,完成卡块(308)与卡槽(310)的装配。

9.根据权利要求8所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述连接板(303)呈U型机构,且在连接板(303)的两侧的开设有回形槽(304),所述连接板(303)两侧的回形槽(304)与卡块(308)两侧的连接柱(309)滑动来接。

10.根据权利要求9所述的一种具有高散热的快恢复二极管框架结构,其特征在于,所述封装槽(203)的内部四个边角处沿水平方向设置有导向杆(305),四根所述导向杆(305)上滑动连接有滑动块(307),所述滑动块(307)的一侧与卡块(308)固定连接,所述滑动块(307)的另一侧连接有弹簧(306),弹簧(306)远离滑动块(307)的一端与封装槽(203)的槽底连接。