1.一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，包括稳定电路(1)、工作点电压电路(2)和输出电路(3)；

稳定电路(1)与工作点电压电路(2)连接，通过相关端口为工作点电压电路提供不受电源VDD电压波动影响的偏置电压，以降低电路系统的线性调整率；

工作点电压电路(2)与输出电路(3)连接，通过相关端口为输出电路(3)提供低温度系数偏置电压，使输出电路(3)中的主MOS管工作于特定工作点，进而产生基准电压并输出。

2.根据权利要求1所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，稳定电路(1)包括偏流电路(11)和稳压电路(12)；

偏流电路(11)与稳压电路(12)连接，为稳压电路(12)提供不受电源VDD电压变化影响的镜像电流。

3.根据权利要求1所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，工作点电压电路(2)包括反馈电路(21)和偏压电路(22)；

反馈电路(21)与偏压电路(22)连接，为偏压电路(22)提供负反馈环路，保持电路系统的稳定运行。

4.根据权利要求2所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，偏流电路(11)包括MOS管M1至M6，电阻R1；

MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极；MOS管M2的源极连接MOS管M1的漏极，MOS管M2的栅极连接MOS管M5的栅极，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的漏极；MOS管M3的漏极连接MOS管M3的栅极，MOS管M3的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M3的源极接地；MOS管M4的源极连接电源VDD，MOS管M4的栅极连接MOS管M2的栅极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的源极；MOS管M5的源极连接MOS管M4的漏极，MOS管M5的栅极连接MOS管M5的漏极，MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极；MOS管M6的漏极连接MOS管M5的漏极，MOS管M6的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M6的源极连接电阻R1的上端，电阻R1的下端接地。

5.根据权利要求2所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，稳压电路(12)包括MOS管M7至M10，电阻R2，端口VZQ1，端口VBS1；

MOS管M7的源极连接电源VDD，MOS管M7的栅极连接MOS管M8的栅极，MOS管M7的漏极连接MOS管M8的源极；MOS管M8的源极连接MOS管M7的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M9的源极；MOS管M9的源极连接端口VZQ1，MOS管M9的栅极连接MOS管M9的漏极，MOS管M9的漏极连接MOS管M10的源极；MOS管M10的源极连接MOS管M9的栅极，MOS管M10的栅极连接端口VBS1，MOS管M10的漏极连接电阻R2的上端，电阻R2的下端接地。

6.根据权利要求3所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，反馈电路(21)包括MOS管M11至M16，端口VBS2；

MOS管M11的源极连接电源VDD，MOS管M11的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M11的漏极连接MOS管M12的源极；MOS管M12的源极连接MOS管M11的栅极，MOS管M12的栅极连接MOS管M13的栅极，MOS管M12的漏极连接MOS管M13的源极；MOS管M13的源极连接MOS管M12的漏极，MOS管M13的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M13的漏极连接MOS管M14的漏极；MOS管M14的漏极连接MOS管M13的漏极，MOS管M14的栅极连接端口VBS2，MOS管M14的源极接地；MOS管M15的漏极连接MOS管M18的漏极，MOS管M15的栅极连接MOS管M13的漏极，MOS管M15的源极连接MOS管M16的漏极；MOS管M16的漏极连接MOS管M15的源极，MOS管M16的栅极连接MOS管M16的漏极，MOS管M16的源极接地。

7.根据权利要求3所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，偏压电路(22)包括MOS管M17至M21，三极管Q1和Q2，电阻R3和R4，端口VGL1，端口VJZ1，端口VZQ2；

MOS管M17的源极连接MOS管M20的源极，MOS管M17的栅极连接MOS管M20的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的源极；MOS管M18的源极连接MOS管M17的漏极，MOS管M18的栅极连接MOS管M21的栅极，MOS管M18的漏极连接晶体管Q1的集电极；晶体管Q1的集电极连接MOS管M18的栅极，晶体管Q1的基极连接晶体管Q2的基极，晶体管Q1的发射极连接电阻R3的下端；

MOS管M19的漏极连接电源VDD，MOS管M19的栅极连接端口VZQ2，MOS管M19的源极连接MOS管M20的源极；MOS管M20的源极连接端口VGL1，MOS管M20的栅极连接MOS管M21的栅极，MOS管M20的漏极连接MOS管M21的源极；MOS管M21的源极连接MOS管M20的漏极，MOS管M21的栅极连接MOS管M18的漏极，MOS管M21的漏极连接晶体管Q2的集电极；晶体管Q2的集电极连接端口VJZ1，晶体管Q2的基极连接端口VBS2，晶体管Q2的发射极连接电阻R3的上端；电阻R4的上端连接电阻R3的下端，电阻R4的下端接地。

8.根据权利要求1所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，输出电路(3)包括MOS管M22至M30，电阻R5，端口VGL2，端口VJZ2，端口VBS3，端口VREF；

MOS管M22的源极连接电源VDD，MOS管M22的栅极连接MOS管M26的栅极，MOS管M22的漏极连接MOS管M23的源极；MOS管M23的源极连接MOS管M22的漏极，MOS管M23的栅极连接MOS管M27的栅极，MOS管M23的漏极连接MOS管M24的漏极；MOS管M24的漏极连接MOS管M23的栅极，MOS管M24的栅极连接端口VGL2，MOS管M24的源极连接MOS管M25的漏极；MOS管M25的漏极连接MOS管M24的源极，MOS管M25的栅极连接端口VJZ2，MOS管M25的源极连接电阻R5的上端；电阻R5的上端连接端口VBS3，电阻R5的下端接地；MOS管M26的源极连接电源VDD，MOS管M26的栅极连接MOS管M27的栅极，MOS管M26的漏极连接MOS管M27的源极；MOS管M27的源极连接MOS管M26的漏极，MOS管M27的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M27的漏极连接MOS管M28的漏极；MOS管M28的漏极连接MOS管M30的漏极，MOS管M28的栅极连接MOS管M28的漏极，MOS管M28的源极连接MOS管M29的漏极；MOS管M29的漏极连接端口VREF，MOS管M29的栅极连接MOS管M29的漏极，MOS管M29的栅极连接端口VBS3，MOS管M29的源极接地；MOS管M30的源极连接电源VDD，MOS管M30的栅极连接MOS管M26的栅极，MOS管M30的漏极连接MOS管M27的漏极。