1.一种二阶补偿低温度系数基准电压集成电路，其特征在于，包括一阶补偿电路(1)和二阶补偿电路(2)；

一阶补偿电路(1)与二阶补偿电路(2)连接，一阶补偿电路(1)产生多路偏置电压及一路一阶温度补偿电压，并传输到二阶补偿电路(2)中；二阶补偿电路(2)在两路控制信号的作用下，产生两个一阶温度补偿电压，并将两个一阶温度补偿电压合并，以形成一个二阶温度补偿电压；

一阶补偿电路(1)包括偏置电路(11)和一阶电压电路(12)；

偏置电路(11)与一阶电压电路(12)连接，偏置电路(11)为一阶电压电路(12)的正常工作提供偏置电压；偏置电路(11)产生4路偏置电压输出到二阶补偿电路(2)中；一阶电压电路(12)输出一路一阶温度补偿电压和两路工作电压到二阶补偿电路(2)中；

二阶补偿电路(2)包括反馈电路(21)和二阶基准电路(22)；

反馈电路(21)与二阶基准电路(22)连接，反馈电路(21)为二阶基准电路(22)提供负反馈环路，并参与二阶温度补偿电压的生成；二阶基准电路(22)在控制信号的作用下，产生二阶温度补偿电压，并将其作为基准电压输出；

偏置电路(11)包括电流生成电路(111)和电压输出电路(112)；

电流生成电路(111)与电压输出电路(112)连接，电流生成电路(111)为电压输出电路(112)提供驱动电流和电压；电压输出电路(112)产生4路偏置电压并输出，供后级电路使用；

一阶电压电路(12)包括补偿电路(121)和转换电路(122)；

补偿电路(121)与转换电路(122)连接，补偿电路产生一阶温度补偿电流，并传输到转换电路(122)中；转换电路(122)将一阶温度补偿电流转换为一阶温度补偿电压并输出；

反馈电路(21)包括负载电路(211)和放大电路(212)；

负载电路(211)与放大电路(212)连接，负载电路(211)为放大电路(212)的输出端提供负载，并抑制电源电压变化对放大电路(212)精度的影响；放大电路(212)具有电压转换电流功能，并对输入电压进行放大后输出；负载电路(211)与放大电路(212)通过相关节点的连接，构成了反馈通路；

二阶基准电路(22)包括储能电路(221)和合并电路(222)；

储能电路(221)与合并电路(222)连接，储能电路(221)与合并电路(222)分别产生两个一阶温度补偿电压，并在合并电路(222)中进行合并，进而生成二阶温度补偿电压；合并电路(222)将合并生成的二阶温度补偿电压作为基准电压输出；

电流生成电路(111)包括MOS管M1至M10；

MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极；MOS管M2的源极连接MOS管M1的栅极，MOS管M2的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的漏极；MOS管M3的漏极连接MOS管M2的栅极，MOS管M3的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M3的源极连接MOS管M4的漏极；MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M4的栅极连接MOS管M8的栅极，MOS管M4的源极接地；

MOS管M5的源极连接电源VDD，MOS管M5的栅极连接MOS管M5的漏极，MOS管M5的漏极连接MOS管M6的源极；MOS管M6的源极连接MOS管M5的栅极，MOS管M6的栅极连接MOS管M1的漏极，MOS管M6的漏极连接MOS管M7的源极；MOS管M7的源极连接MOS管M6的漏极，MOS管M7的栅极连接MOS管M2的漏极，MOS管M7的漏极连接MOS管M8的漏极；MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M8的漏极，MOS管M8的源极接地；MOS管M9的源极连接电源VDD，MOS管M9的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M9的漏极连接MOS管M9的栅极；MOS管M10的源极连接MOS管M9的漏极，MOS管M10的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M10的漏极连接MOS管M10的栅极；

电压输出电路(112)包括MOS管M11至M22，端口VOD1，端口VOA1，端口VOB1和端口VOC1；

MOS管M11的漏极连接MOS管M10的漏极，MOS管M11的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M11的源极接地；MOS管M12的源极连接电源VDD，MOS管M12的栅极连接MOS管M12的漏极，MOS管M12的漏极连接MOS管M13的源极；MOS管M13的源极连接MOS管M12的栅极，MOS管M13的栅极连接MOS管M9的漏极，MOS管M13的漏极连接MOS管M41的漏极；MOS管M14的漏极连接MOS管M15的栅极，MOS管M14的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M14的源极连接MOS管M15的漏极；MOS管M15的漏极连接MOS管M14的源极，MOS管M15的栅极连接MOS管M19的栅极，MOS管M15的源极接地；

MOS管M16的源极连接电源VDD，MOS管M16的栅极连接MOS管M17的漏极，MOS管M16的漏极连接MOS管M17的源极；MOS管M17的源极连接MOS管M16的漏极，MOS管M17的栅极连接MOS管M20的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的漏极；MOS管M18的漏极连接端口VOA1，MOS管M18的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M18的源极连接MOS管M19的漏极；MOS管M19的漏极连接MOS管M18的源极，MOS管M19的栅极连接端口VOD1，MOS管M19的源极接地；

MOS管M20的源极连接电源VDD，MOS管M20的栅极连接MOS管M20的漏极，MOS管M20的漏极连接端口VOB1；MOS管M21的漏极连接MOS管M20的漏极，MOS管M21的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M21的栅极连接端口VOC1，MOS管M21的源极连接MOS管M22的漏极；MOS管M22的漏极连接MOS管M21的源极，MOS管M22的栅极连接MOS管M19的栅极，MOS管M22的源极接地；

基于MOS管M11与M14的镜像连接关系，电流Iqd作为启动电流被复制到电压输出电路112的相关支路中；MOS管M13的栅极与MOS管M9的漏极连接，MOS管M9的栅源极电压Vqd作为启动电压传输到MOS管M13的栅极；MOS管M14、M15、M18、M19、M21和M22的相关电路连接结构起电流传递作用；MOS管M16、M17和M20的相关电路连接结构用于产生各种偏置电压；MOS管M16的栅源极电压作为偏置电压Va通过端口VOA1输出；MOS管M20的栅源极电压作为偏置电压Vb通过端口VOB1输出；MOS管M15的栅源极电压作为偏置电压Vd通过端口VOD1输出；MOS管M21的栅源极电压与MOS管M22的漏源极电压之和作为偏置电压Vc通过端口VOC1输出；

补偿电路(121)包括MOS管M23至M26，三极晶体管Q1至Q2，电阻R1至R3，端口VJS1，端口VJD1；

MOS管M23的源极连接电源VDD，MOS管M23的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M23的漏极连接MOS管M24的源极；MOS管M24的源极连接MOS管M23的栅极，MOS管M24的栅极连接MOS管M26的栅极，MOS管M24的漏极连接电阻R1的上端；三极晶体管Q1的发射极连接电阻R1的下端，三极晶体管Q1的发射极连接端口VJS1，三极晶体管Q1的基极接地，三极晶体管Q1的集电极接地；

MOS管M25的源极连接电源VDD，MOS管M25的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M25的漏极连接MOS管M26的源极；MOS管M26的源极连接MOS管M25的漏极，MOS管M26的栅极连接MOS管M10的栅极，MOS管M26的漏极连接电阻R3的上端；三极晶体管Q2的发射极连接电阻R3的下端，三极晶体管Q2的发射极连接端口VJD1，三极晶体管Q2的基极接地，三极晶体管Q2的集电极接地；电阻R2的上端连接MOS管M26的漏极，电阻R2的下端接地；

转换电路(122)包括MOS管M27，电阻R4，端口VYG1；

MOS管M27的源极连接电源VDD，MOS管M27的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M27的漏极连接电阻R4的上端；电阻R4的上端连接端口VYG1，电阻R4的下端接地；

负载电路(211)包括MOS管M29、M30、M34、M35，端口VOB2；

MOS管M29的源极连接电源VDD，MOS管M29的栅极连接MOS管M34的栅极，MOS管M29的漏极连接MOS管M30的源极；MOS管M30的源极连接MOS管M29的漏极，MOS管M30的栅极连接MOS管M35的栅极，MOS管M30的漏极连接MOS管M31的漏极；MOS管M34的源极连接电源VDD，MOS管M34的栅极连接MOS管M30的漏极，MOS管M34的漏极连接MOS管M35的源极；MOS管M35的源极连接MOS管M34的漏极，MOS管M35的栅极连接端口VOB2，MOS管M35的漏极连接MOS管M36的漏极；

放大电路(212)包括MOS管M28、M31、M32、M33、M36、M37、M38，端口VOA2，端口VOC2，端口VOD2；

MOS管M28的源极连接电源VDD，MOS管M28的栅极连接端口VOA2，MOS管M28的漏极连接MOS管M33的源极；MOS管M31的漏极连接MOS管M29的栅极，MOS管M31的栅极连接MOS管M36的栅极，MOS管M31的源极连接MOS管M32的漏极；MOS管M32的漏极连接MOS管M33的漏极，MOS管M32的栅极连接MOS管M37的栅极，MOS管M32的源极接地；MOS管M33的源极连接MOS管M28的漏极，MOS管M33的栅极连接MOS管M44的源极，MOS管M33的漏极连接MOS管M31的源极；MOS管M36的漏极连接MOS管M38的栅极，MOS管M36的栅极连接端口VOC2，MOS管M36的源极连接MOS管M37的漏极；MOS管M37的漏极连接MOS管M38的漏极，MOS管M37的栅极连接端口VOD2，MOS管M37的源极接地；MOS管M38的源极连接MOS管M33的源极，MOS管M38的栅极连接MOS管M42的源极，MOS管M38的漏极连接MOS管M37的漏极；

储能电路(221)包括MOS管M39至M44，电容C1至C4，端口VJD2，端口S1，端口S2，端口VYG2，端口VJS2；

MOS管M39的漏极连接MOS管M43的漏极，MOS管M39的栅极连接MOS管M41的栅极，MOS管M39的源极连接MOS管M40的漏极；MOS管M40的漏极连接MOS管M39的源极，MOS管M40的栅极连接MOS管M42的栅极，MOS管M40的源极接地；MOS管M41的漏极连接MOS管M44的源极，MOS管M41的栅极连接MOS管M43的栅极，MOS管M41的源极连接MOS管M42的漏极；MOS管M42的漏极连接MOS管M41的源极，MOS管M42的栅极连接MOS管M44的栅极，MOS管M42的源极连接MOS管M46的源极；MOS管M43的漏极连接MOS管M45的漏极，MOS管M43的栅极连接MOS管M45的栅极，MOS管M43的源极连接MOS管M44的漏极；MOS管M44的漏极连接MOS管M43的源极，MOS管M44的栅极连接MOS管M46的栅极，MOS管M44的源极连接MOS管M50的源极；电容C1的左端连接MOS管M39的源极，电容C1的右端连接MOS管M41的源极；电容C2的左端连接MOS管M40的源极，电容C2的右端连接MOS管M42的源极；电容C3的左端连接MOS管M41的源极，电容C3的右端连接MOS管M43的源极；电容C4的左端连接MOS管M42的源极，电容C4的右端连接MOS管M41的漏极；

MOS管M39的栅极、M41的栅极和M43的栅极均与端口S1连接；当端口S1接收到高电平信号时，MOS管M39、M41和M43处于导通状态；当端口S1接收到低电平信号时，MOS管M39、M41和M43处于截止状态；MOS管M40的栅极、M42的栅极和M44的栅极均与端口S2连接；当端口S2接收到高电平信号时，MOS管M40、M42和M44处于导通状态；当端口S2接收到低电平信号时，MOS管M40、M42和M44处于截止状态；输入到端口S1的控制信号k1与输入到端口S2的控制信号k2为互补关系，即当信号k1为高电平时，信号k2为低电平，当信号k1为低电平时，信号k2为高电平；

合并电路(222)包括MOS管M45至M50，电容C5至C8，端口VREF；

MOS管M45的漏极连接MOS管M49的漏极，MOS管M45的栅极连接MOS管M47的栅极，MOS管M45的源极连接MOS管M46的漏极；MOS管M46的漏极连接MOS管M45的源极，MOS管M46的栅极连接MOS管M48的栅极，MOS管M46的源极连接端口VYG2；MOS管M47的漏极连接MOS管M50的源极，MOS管M47的栅极连接MOS管M49的栅极，MOS管M47的源极连接MOS管M48的漏极；MOS管M48的漏极连接MOS管M47的源极，MOS管M48的栅极连接MOS管M50的栅极，MOS管M48的源极连接端口VREF；MOS管M49的漏极连接端口VJD2，MOS管M49的栅极连接端口S1，MOS管M49的源极连接MOS管M50的漏极；MOS管M50的漏极连接MOS管M49的源极，MOS管M50的栅极连接端口S2，MOS管M50的源极连接端口VJS2；电容C5的左端连接MOS管M45的源极，电容C5的右端连接MOS管M47的源极；电容C6的左端连接MOS管M46的源极，电容C6的右端连接MOS管M48的源极；电容C7的左端连接MOS管M47的源极，电容C7的右端连接MOS管M49的源极；电容C8的左端连接MOS管M48的源极，电容C8的右端连接MOS管M47的漏极。