1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括至少一个基础结构，所述基础结构包括基底、第一基础单元、第二基础单元、绝缘结构以及桥接电极，第一基础单元和第二基础单元位于所述基底的同一侧表面；

其中，所述基底包括依次层叠的金属基衬底以及键合层，

所述第一基础单元包括第一电极以及在所述基底上依次层叠的第一金属层、第一电极反射层以及第一发光层，所述第一金属层包饶所述第一电极反射层，所述第一电极与所述第一金属层接触，所述第二基础单元包括第二电极以及在基底上依次层叠的第二金属层、第二电极反射层以及第二发光层，所述第二电极与所述第二发光层接触，所述第二金属层包饶所述第二电极反射层；

所述绝缘结构使第一基础单元与第二基础单元通过所述桥接电极形成串联结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘结构包括绝缘保护层、第一绝缘阻隔层以及第二绝缘阻隔层；

其中，所述绝缘保护层位于所述键合层远离所述金属基衬底的一侧，所述绝缘保护层包饶所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第二电极；

所述第一绝缘阻隔层包覆所述第一发光层以及所述第一金属层；

所述第二绝缘阻隔层包覆所述第二发光层以及所述第二金属层。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光层包括依次层叠的第一p‑GaN层、第一多量子阱层以及第一n‑GaN层，所述第一p‑GaN层与所述第一电极反射层以及所述第一金属层接触，所述第二发光层包括依次层叠的第二p‑GaN层、第二多量子阱层以及第二n‑GaN层，所述第二p‑GaN层与所述第二电极反射层以及所述第二金属层接触，所述第一n‑GaN层与所述第二金属层通过所述桥接电极连接，所述第二电极与所述绝缘结构以及所述第二n‑GaN层接触。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一多量子阱层以及所述第二多量子阱层各自独立地包括至少一层的InGaN/GaN多量子阱层，所述第一多量子阱层的厚度以及所述第二多量子阱层的厚度各自独立地为20nm～80nm。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述基底还包括金属保护层，所述金属基衬底的一侧与所述键合层接触，所述金属基衬底的另一侧与所述金属保护层接触。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属保护层的厚度为20nm～

1500nm。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述键合层包括层叠的第一键合层与第二键合层。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述键合层的厚度为100nm～8μm。

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一金属层的厚度以及所述第二金属层的厚度各自独立地为30nm～11000nm。

10.如权利要求1～9任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，满足以下一个或多个条件：(1)所述金属基衬底的厚度为50μm～1200μm；

(2)所述第一电极反射层的厚度以及所述第二电极反射层的厚度各自独立地为30nm～

5200nm。