1.一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：包括箱体（1），电极片（201）安装于箱体（1）内部，所述箱体（1）内侧顶部且位于电极片（201）的外周安装有制冷组件，所述制冷组件的一端与换热组件连接，所述电极片（201）一端与VDMOS器件连接，另一端通过防脱机构（3）与调压模块（101）电性连接，控制器（6）分别连接调压模块（101）及换热组件。

2.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述制冷组件包括固定安装于箱体（1）内侧顶部的制冷盘（2），所述制冷盘（2）底部两侧分别固定安装有进液管（203）及出液管（202），所述制冷盘（2）通过进液管（203）与循环泵（402）连通，所述制冷盘（2）通过出液管（202）与换热组件连通。

3.根据权利要求2所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述换热组件包括固定安装于箱体（1）内侧底部的换热箱（4），所述换热箱（4）内部盘绕安装有换热管排（401）。

4.根据权利要求3所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述箱体（1）外侧固定安装有散热器（404），所述散热器（404）与换热箱（4）内部换热管排（401）连通。

5.根据权利要求3所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述换热箱（4）顶部固定安装有与进液管（203）连通的循环泵（402）。

6.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述箱体（1）内侧顶部安装有与控制器（6）连接的温度传感器（403）。

7.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述防脱机构（3）包括固定安装于制冷组件一侧的对接座（301），所述对接座（301）内部通过复位弹簧（302）活动安装有滑套座（303），所述滑套座（303）内部固定安装有与电极片（201）电性连接的铜片（304），所述滑套座（303）能够带动铜片（304）在复位弹簧（302）作用力下相对制冷组件运动。

8.根据权利要求7所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述滑套座（303）顶部安装有锁定件（305），且锁定件（305）的一端延伸至对接座（301）内部。

9.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述控制器（6）通过稳压器（5）连接调压模块（101），所述稳压器（5）安装于所述箱体（1）内侧底部，且稳压器（5）底部固定安装有延伸出箱体（1）的接线端。

10.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征在于：所述箱体（1）的正面一侧通过合页活动安装有箱门，所述控制器（6）固定于所述箱门的顶部位置。