1.一种超低功耗半导体功率器件，包括半导体功率器件本体（1），其特征在于，所述半导体功率器件本体（1）的两个端部均构造有安装槽（2），所述安装槽（2）内安装有吸热元件（3），所述吸热元件（3）设置有两组且呈对称分布。

2.根据权利要求1所述的一种超低功耗半导体功率器件，其特征在于，所述吸热元件（3）为铝片制成的梳形散热板（301），所述梳形散热板（301）粘固在所述安装槽（2）内。

3.根据权利要求2所述的一种超低功耗半导体功率器件，其特征在于，所述梳形散热板（301）内部构造有中空腔（302），所述中空腔（302）内盛装有吸热溶液，且吸热溶液不充满中空腔（302）。

4.根据权利要求2所述的一种超低功耗半导体功率器件，其特征在于，还包括铝制L型管道（4），其一侧与梳形散热板（301）紧密粘固，且半包裹在所述半导体功率器件本体（1）外侧，所述铝制L型管道（4）设置有两组，首尾相连。

5.根据权利要求4所述的一种超低功耗半导体功率器件，其特征在于，所述铝制L型管道（4）远离梳形吸热板的一端开口朝上。