1.一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，包括：导电头(100)、盖体(110)以及下螺纹槽(230)，其特征在于：所述导电头(100)下端设有感应加热座(140)；

所述感应加热座(140)内侧设有保温内层(150)，所述保温内层(150)内侧设有石墨体(220)，所述石墨体(220)内侧下端设有下螺纹槽(230)，所述石墨体(220)内侧上端设有上螺纹槽(190)，所述下螺纹槽(230)内侧设有下螺纹座(210)，所述下螺纹座(210)内侧设有放置腔(200)；

所述放置腔(200)下端设有底座(160)，所述上螺纹槽(190)内侧设有上螺纹座(180)，所述上螺纹座(180)上端设有限位挡座(130)，所述限位挡座(130)上端设有盖体(110)，所述盖体(110)左右两侧均设有一组凹槽(120)，所述盖体(110)上端设有进气管(170)。

2.根据权利要求1所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述导电头(100)与外部带电导线电性连接，所述导电头(100)与感应加热座(140)为一体机构，且导电头(100)与感应加热座(140)均为一种金属铜材料制成。

3.根据权利要求2所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述感应加热座(140)内侧与保温内层(150)保持贴合，所述感应加热座(140)上端与限位挡座(130)下端接触，所述感应加热座(140)下端与底座(160)上端接触。

4.根据权利要求3所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述底座(160)、放置腔(200)以及下螺纹座(210)为一体机构，所述下螺纹座(210)外侧开设有外螺纹，所述下螺纹座(210)与下螺纹槽(230)螺纹密封旋合。

5.根据权利要求1所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述盖体(110)、进气管(170)、限位挡座(130)以及上螺纹座(180)为一体机构，所述上螺纹座(180)外侧设有外螺纹，所述上螺纹座(180)与上螺纹槽(190)内侧螺纹密封嵌合。

6.根据权利要求5所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述盖体(110)、进气管(170)以及限位挡座(130)均为一组高纯度石墨材料制成，所述底座(160)、下螺纹座(210)以及石墨体(220)均与盖体(110)材料相同。

7.根据权利要求1所述的一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于：所述放置腔(200)内部放置有纯度大于99.9％的碳化硅粉料，所述感应加热座(140)加热温度为2350℃，且进气管(170)与外部惰性气体连接管密封连接并导入石墨体(220)内侧，所述保温内层(150)为一种高纯石墨毡，厚度为25mm。