1.一种PVT法生产碳化硅单晶设备，包括用于生产碳化硅单晶的碳化硅PVT炉主体(100)、排气阀门以及出气管(200)，所述碳化硅PVT炉主体(100)左侧面上方安装有排气阀门，所述排气阀门左侧连接有出气管(200)，其特征在于：所述出气管(200)左侧设置气滤组件(300)；

所述气滤组件(300)包括抽气滤筒(301)、前滤板(302)以及后滤圈(303)，所述抽气滤筒(301)内部右侧安装有前滤板(302)，所述前滤板(302)右表面贯通开设有多个滤气孔(304)；

所述前滤板(302)左侧安装有后滤圈(303)，所述后滤圈(303)中间安装有玻纤细滤网(305)，所述抽气滤筒(301)左侧设置有传输管(400)，所述传输管(400)下方设置有降噪箱(500)，所述降噪箱(500)内部安装有气体传输泵(900)。

2.如权利要求1所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述降噪箱(500)左侧安装有输出管(700)，所述降噪箱(500)背面贯通开设有多个散热通风孔。

3.如权利要求2所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述传输管(400)下端与气体传输泵(900)的进气管连接，所述输出管(700)右端与气体传输泵(900)的排气管连接。

4.如权利要求3所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述降噪箱(500)内部安装有隔音棉层(800)，所述降噪箱(500)正面通过铰链安装有检修箱门(600)。

5.如权利要求4所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述排气阀门与碳化硅PVT炉主体(100)内部连通，所述出气管(200)左端外壁设置有螺纹，所述抽气滤筒(301)的右端内壁设置有内螺槽。

6.如权利要求5所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述出气管(200)左端与抽气滤筒(301)右端通过螺纹旋转连接，所述抽气滤筒(301)内部左侧安装有密封胶圈，所述抽气滤筒(301)内部左侧套在传输管(400)右端外侧，其传输管(400)右端外壁与密封胶圈内壁紧密贴合。

7.如权利要求1所述的一种PVT法生产碳化硅单晶设备，其特征在于：所述前滤板(302)为一种不锈钢制成，所述抽气滤筒(301)右端的直径长度大于其左端的直径长度，所述碳化硅PVT炉主体(100)由PVT炉、加热元件、气体供应系统和温度控制系统构成。