1.一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，包括：控制台(100)、气瓶(170)和旋转送气盒(160)，其特征在于：所述控制台(100)顶部设有一组底座(110)，所述底座(110)上表面向下凹陷形成一组放置槽；

所述放置槽内部设有一组退火管(120)，所述退火管(120)左右两侧下方设有两组支撑板，所述控制台(100)左侧设有一组气瓶箱(130)，所述气瓶箱(130)内部设有一组气瓶(170)，所述气瓶(170)顶部设有一组喷气嘴；

所述喷气嘴顶部设有一组送气管(150)，所述喷气嘴左侧安装有一组控制阀(140)，所述退火管(120)内部顶部安装有一组旋转送气盒(160)，所述旋转送气盒(160)内部开设有一组旋转腔，所述旋转腔内部设有一组旋转送气扇(190)。

2.如权利要求1所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述控制台(100)、底座(110)和退火管(120)共同组成一组主体，所述主体型号为VRSF1600-322碳化硅真空高温退火炉。

3.如权利要求1所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述气瓶(170)内部填充有纯净氢气，所述喷气嘴顶部与送气管(150)底部通过密封胶胶接，所述送气管(150)为C形结构。

4.如权利要求1所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述送气管(150)右侧下方贯穿退火管(120)顶部与旋转送气盒(160)顶部，所述送气管(150)与退火管(120)的贯通处上方安装有密封圈(180)，所述旋转送气盒(160)顶部与退火管(120)内部顶部胶接。

5.如权利要求1所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述旋转送气扇(190)顶部开设有若干组导气槽(230)，所述导气槽(230)以圆心为基点呈扩散状分布，所述导气槽(230)内部为沿逆时针方向角度逐渐降低的斜面结构。

6.如权利要求1所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述旋转送气扇(190)底部远离圆心的环形区域内开设有一组滑槽一(200)，所述放置槽底部远离圆心的环形区域内开设有一组滑槽二(210)；

所述滑槽一(200)和滑槽二(210)的半径长度相同，所述滑槽一(200)和滑槽二(210)之间设有若干组万向球(220)，所述万向球(220)的半径长度大于滑槽一(200)和滑槽二(210)的深度。

7.如权利要求4所述的一种降低碳化硅晶体应力的退火装置，其特征在于：所述旋转送气盒(160)侧面贯通开设有若干组送气孔(240)。