1.一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构(1)和第二加热机构(2)，其特征在于：所述第一加热机构(1)包括第一线圈筒(6)，所述第一线圈筒(6)上端固定连接有第一限位环(5)，所述第一线圈筒(6)下端固定连接有第四限位环(13)，所述第一线圈筒(6)表面缠绕有第一线圈(7)。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第二加热机构(2)包括第二线圈筒(9)，所述第二线圈筒(9)上端固定连接有第三限位环(12)，所述第二线圈筒(9)下端固定连接有第二限位环(10)，所述第二线圈筒(9)表面缠绕有第二线圈(11)。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第一加热机构(1)上侧设置有第二石墨加热器(4)。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第二加热机构(2)下侧设置有第一石墨加热器(3)。

5.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第四限位环(13)下表面固定连接有连接环(8)，所述连接环(8)表面开设有对接孔(14)。

6.根据权利要求2所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第三限位环(12)上表面开设有插接槽(15)，所述插接槽(15)两侧槽壁上均开设有滑槽(18)，所述滑槽(18)内部一侧槽壁上固定连接有弹簧(17)，所述弹簧(17)一端固定连接有弧形卡块(16)。