1.一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括第一外坩埚(1)、第二外坩埚(2)和内坩埚(9)，其特征在于：所述第二外坩埚(2)顶部开设有控温孔(14)，所述第二外坩埚(2)内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条(4)，所述第二外坩埚(2)内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座(17)，所述内坩埚顶座(17)边缘处呈圆周阵列设置有第二导热凸起(18)，所述内坩埚顶座(17)内部开设有空腔(15)，所述空腔(15)内部固定设置有冷却管(19)，所述冷却管(19)一端固定连接有进水管(13)，所述冷却管(19)另一端固定连接有出水管(16)。

2.根据权利要求1所述的一种PVT法SiC单晶生长坩埚，其特征在于：所述第一外坩埚(1)内壁上呈圆周阵列设置有第二限位条(5)，所述第一外坩埚(1)底部内壁上固定连接有内坩埚底座(7)，所述内坩埚底座(7)边缘处呈圆周阵列设置有第一导热凸起(8)。

3.根据权利要求1所述的一种PVT法SiC单晶生长坩埚，其特征在于：所述内坩埚(9)顶部设置有坩埚盖(10)，所述坩埚盖(10)内壁上固定连接有籽晶托(12)，所述籽晶托(12)下表面固定设置有籽晶(11)。

4.根据权利要求1所述的一种PVT法SiC单晶生长坩埚，其特征在于：所述第一外坩埚(1)端口处固定连接有连接环(6)，所述第二外坩埚(2)端口处开设有连接槽(3)，所述连接槽(3)与连接环(6)键槽配合。

5.根据权利要求1所述的一种PVT法SiC单晶生长坩埚，其特征在于：所述内坩埚(9)设置在第一外坩埚(1)和第二外坩埚(2)内。

6.根据权利要求1所述的一种PVT法SiC单晶生长坩埚，其特征在于：所述进水管(13)和出水管(16)均贯穿空腔(15)顶部腔壁和第二外坩埚(2)顶部坩埚壁。