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专利号: 202323377929X
申请人: 合肥世纪金芯半导体有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2025-01-06
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,包括坩埚盖(1)和坩埚(8),其特征在于:所述坩埚盖(1)设置在坩埚(8)顶部,所述坩埚盖(1)内部盖壁上固定连接有石墨导热盘(6),所述石墨导热盘(6)边缘处呈圆周阵列固定设置有金刚石导热凸起(7),所述石墨导热盘(6)下表面固定连接有石墨安装筒(10),所述石墨安装筒(10)下端设置有籽晶托盘(2),所述籽晶托盘(2)上表面固定连接有金刚石安装柱(11)。

2.根据权利要求1所述的一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,其特征在于:所述籽晶托盘(2)下表面设置有籽晶(5),所述籽晶(5)与籽晶托盘(2)之间通过粘合剂(12)粘连。

3.根据权利要求1所述的一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,其特征在于:所述金刚石安装柱(11)两侧表面均开设有滑槽(15),所述滑槽(15)内部一侧槽壁上固定连接有弹簧(14),所述弹簧(14)一端固定连接有弧形滑块(16)。

4.根据权利要求1所述的一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,其特征在于:所述石墨安装筒(10)两侧筒壁上均开设有通孔(13),所述通孔(13)与滑槽(15)对应设置。

5.根据权利要求1所述的一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,其特征在于:所述坩埚盖(1)内部盖壁上固定连接有导流筒(4),所述导流筒(4)内侧筒壁上设置有致密膜层(9)。

6.根据权利要求1所述的一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,其特征在于:所述坩埚盖(1)内部盖壁上固定连接有密封圈(3)。