1.一种半导体晶体生长炉，包括生长炉本体(1)，其特征在于，所述生长炉本体(1)内部上侧的右方开设有制冷循环腔(2)，所述制冷循环腔(2)内壁的右侧开设有制冷片腔(3)，所述生长炉本体(1)内部的左方开设有电泵腔(4)，所述电泵腔(4)内壁的下侧固定连接有微型抽液泵(5)，所述微型抽液泵(5)的输入端固定连接有输入管(6)，所述微型抽液泵(5)的输出端固定连接有输出管(7)，所述生长炉本体(1)内壁的四周共同开设有散热腔(8)，所述制冷片腔(3)内壁的左侧设置有包覆范围可变的制冷结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，所述制冷结构包括多个半导体制冷片(9)，多个所述半导体制冷片(9)的左面均与制冷片腔(3)内壁的左侧固定连接，多个所述半导体制冷片(9)的左面均固定连接有导冷片(10)，所述制冷循环腔(2)内壁后侧的右方固定连接有循环管(11)，所述制冷循环腔(2)的内部和散热腔(8)的内部均充满制冷液(12)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，所述输入管(6)的一端贯穿电泵腔(4)内壁的右侧延伸至制冷循环腔(2)内壁后侧的左方，所述输出管(7)的一端贯穿电泵腔(4)内壁的左侧延伸至散热腔(8)内壁的一侧，多个所述导冷片(10)的左面均贯穿制冷片腔(3)内壁的左侧延伸至制冷循环腔(2)内壁的右侧并与制冷循环腔(2)内壁的左侧固定连接，所述循环管(11)的一端贯穿制冷循环腔(2)内壁后侧的右方延伸至散热腔(8)内壁的一侧。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，所述制冷片腔(3)内壁的上侧开设有多个散热口(13)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，所述生长炉本体(1)内壁的下侧设有石墨坩埚(14)，所述石墨坩埚(14)内壁的四周共同设有石英坩埚(15)。

6.根据权利要求2所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，多个所述导冷片(10)的材质均为铝制。

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长炉，其特征在于，所述生长炉本体(1)的顶面设有固定板(16)，所述固定板(16)的顶面设有提拉本体(17)。